東芝：産業機器の高効率化に貢献する、当社最新世代プロセス[注１]採用の100V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について

東芝：産業機器の高効率化に貢献する、当社最新世代プロセス[注１]採用の100V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について

（川崎）- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用スイッチング電源向けに、当社最新世代プロセス^[注1]「U-MOS11-H (ユー・モス・イレブン・エイチ)」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH2R70AR5」を製品化し、本日から出荷を開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。：https://www.businesswire.com/news/home/20250924598784/ja/

東芝：最新世代プロセス採用の100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH2R70AR5」

100V系U-MOS11-Hシリーズは、当社従来世代プロセスU-MOSX-Hシリーズ に対し、ドレイン・ソース間のオン抵抗 (RDS(ON)) ならびにゲート入力電荷量 (Qg) とそのトレードオフ (RDS(ON)×Qg) を改善し、導通時とスイッチング時の両方の電力損失を低減しています。

新製品のTPH2R70AR5は、U-MOSX-HシリーズのTPH3R10AQMに対し、RDS(ON)を約8%、Qgを約37%、RDS(ON)×Qgを約42%改善しています。
また、TPH2R70AR5はライフタイム制御技術^[注2]の適用によりボディーダイオードを高速化することで、逆回復電荷量 (Qrr) およびスパイク電圧を低減しました。U-MOSX-HシリーズのTPH3R10AQMに対し、Qrrを約38%、RDS(ON)×Qrrを約43%改善しています。
これら業界トップクラス^[注3]のRDS(ON)×Qg、RDS(ON)×Qrrトレードオフ特性^[注4]により、低損失を実現し、電源の高効率化、高電力密度化に貢献します。
なお、パッケージには、業界での実装互換を重視したSOP Advance(N)を採用しました。

回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるG0モデルのSPICEモデルに加えて、過渡特性の精度を高めたG2モデルのSPICEモデルも提供します。

当社は今後も、電源の効率を高めることができる低損失のMOSFETのラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献していきます。

[注1] 2025年9月時点、当社の低耐圧パワーMOSFET向けプロセスにおいて。当社調べ。
[注2] イオンビームを利用して半導体内部に意図的に欠陥を生成し、キャリアーライフタイムを短縮することで、デバイスのスイッチング速度を高速化します。これにより、ダイオードのリカバリー速度が向上し、ノイズが低減されます。
[注3] 2025年9月時点、産業機器向け100V耐圧NチャネルパワーMOSFETにおいて。当社調べ。
[注4] RDS(ON)×Qg：120mΩ・nC (typ)、RDS(ON)×Qrr：127mΩ・nC (typ)

応用機器

データセンターや通信基地局などの産業機器用電源高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源新製品の主な特長

低いドレイン・ソース間オン抵抗 : RDS(ON)＝2.7mΩ (max) (VGS=10V、ID=50A、Ta＝25°C)低いゲート入力電荷量 : Qg=52nC (typ.) (VDD=50V、VGS=10V、ID=50A、Ta＝25°C)低い逆回復電荷量 : Qrr=55nC (typ.) (IDR＝50A、VGS=0V、-dIDR/dt=100A/μs、Ta＝25°C)新製品の主な仕様(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

TPH2R70AR5

絶対最大定格

ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)

100

ドレイン電流 (DC) ID (A)

Tc=25°C

190

チャネル温度 Tch (°C)

175

電気的特性

ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON) (mΩ)

VGS=10V、ID=50A

Max

2.7

VGS=8.V、ID＝50A

Max

3.6

ゲート入力電荷量 Qg (nC)

VDD=50V、VGS=10V、ID=50A

Typ.

52

ゲートスイッチ電荷量 Qsw (nC)

Typ.

17

出力電荷量 Qoss (nC)

VDD=50V、VGS=0V、f=1MHz

Typ.

106

入力容量 Ciss (pF)

VDS=50V、VGS=0V、f=1MHz

Typ.

4105

逆回復電荷量 Qrr (nC)

IDR＝50A、VGS=0V、

-dIDR/dt=100A/μs

Typ.

55

パッケージ

名称

SOP Advance(N)

サイズ (mm)

Typ.

5.15×6.1

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