中国の先端半導体不足、2035年に34％へ縮小か―ゴールドマン予測を左右するSMICの歩留まり

ゴールドマン・サックスは、中国における7ナノメートル以下の先端プロセス向けウェハーの国内供給が、2035年には需要の約66％に達するとの見通しを示した。供給不足率は2025年の92％から34％へ縮小する計算だが、中国最大のファウンドリであるSMICの増産と大幅な歩留まり改善を前提とする長期予測である。

中国企業は最先端のEUV露光装置を調達できず、DUV露光装置を使った複雑な製造工程に依存している。装置の調達や保守をめぐる輸出規制も含め、2035年までの供給拡大には技術面と政策面の不確実性が残る。

■2035年に先端ウェハー需要の66％を国内供給する予測

サウスチャイナ・モーニング・ポストなどが報じたゴールドマン・サックスの予測によると、中国国内で生産される7nm以下のウェハー供給は、2025年から2035年まで年平均46％で増加する。需要の年平均成長率は17％と見込まれており、供給の伸びが需要を大きく上回る想定だ。

2035年の国内供給は月41万枚、需要は月61万9,000枚と予測されている。国内供給で満たせる割合は約66％となり、不足率は2025年の92％から34％へ縮小する。

このシナリオを支えるのがSMICの生産能力増強である。ゴールドマンのモデルは、SMICが先端プロセスの月産能力を2026年から2031年まで毎年3万～5万枚、2032年から2035年までは毎年2万枚ずつ追加すると想定している。

■予測の鍵を握るSMICの歩留まり

生産設備を増やすだけでは、供給量が予測通りに伸びるとは限らない。製造したチップのうち仕様を満たす良品の割合を示す歩留まりが、生産コストと実際の供給量を大きく左右するためだ。

ゴールドマンのモデルでは、SMICの先端プロセスの歩留まりが2026年の推定23％から、2030年に50％、2035年に75％へ上昇するとされている。これは実績値ではなく、将来の供給量を算出するために置かれた前提である。

TSMCの7nmプロセスでは、製品の設計やチップ面積によって歩留まりが変わるものの、90％を超える場合があると報じられている。単純比較はできないが、SMICが2035年の想定供給量に到達するには、設備の増強と並行して製造工程を成熟させる必要がある。

■EUVを使わない製造で工程が複雑に

EUVは波長13.5nmの光を使って微細な回路パターンを形成する露光技術で、オランダのASMLが対応装置を供給している。中国向けには輸出が認められておらず、SMICは既存のDUV露光装置を使ったマルチパターニングによって7nm級の半導体を製造している。

マルチパターニングは、1つの回路層のパターンを複数の工程に分けて形成する手法だ。微細化を進められる一方、露光、成膜、エッチングなどの工程が増え、各工程の位置合わせ精度や欠陥管理が難しくなる。工程数の増加は処理時間と製造コストにも影響するため、歩留まりを引き上げながら生産量を拡大できるかが重要になる。

EUVを使ったプロセスでも、すべての回路層を1回の露光だけで形成するわけではない。ただ、EUVの導入によって一部の重要な層で必要なパターニング回数を減らせるため、先端プロセスの工程簡素化に寄与する。SMICの課題は、DUV中心の製造環境で工程を安定させ、良品数と経済性を継続的に改善することにある。

■CXMTはDRAMとHBMの国内供給拡大を担う

メモリ分野では、中国のDRAMメーカーである長鑫存儲技術集団（CXMT）が重要な役割を担う。CXMTは2026年7月、上海証券取引所の科創板に上場し、579億2,000万元を調達した。1元を約22円として概算すると約1兆2,700億円となる。

ゴールドマンは、CXMTが2028年までに中国のDRAM需要の50％、広帯域メモリであるHBM需要の40％を供給する可能性があると予測している。CXMTは上場時に示した資金使途のうち、130億元をDRAM技術の高度化、90億元を次世代技術の研究開発、75億元をメモリウェハー生産ラインの更新に充てる計画だ。

HBMは複数のDRAMダイを縦方向に積み重ね、高速かつ広帯域でデータを転送するメモリで、AIアクセラレーターなどに使われる。通常のDRAMウェハーの生産能力だけでなく、積層、接続、検査を含む一連の製造技術が供給量と歩留まりを左右する。

CXMTによるHBM3の開発や試作、量産計画は複数の業界報道で伝えられている。一方、同社が上場時に示した主要な投資計画にはHBM専用プロジェクトが明記されていない。2028年に中国需要の40％を満たすという数値は、技術開発と生産配分が計画通りに進むことを前提とした予測として見る必要がある。

■中国製造装置の拡大と輸出規制

ゴールドマンは、中国のウェハー製造装置市場に占める中国企業の比率が、2025年の26％から2028年には38％へ上昇すると予測している。国内装置メーカーの供給力が高まれば、製造ラインの増設や既存装置の維持における海外依存を段階的に減らせる可能性がある。

ただし、先端半導体の量産には露光装置だけでなく、成膜、エッチング、洗浄、計測、検査など多様な装置が必要になる。個別装置の国産化率だけでなく、製造ライン全体で要求される精度、処理能力、安定性を確保できるかが焦点となる。

米国では2026年4月、中国企業に対する半導体製造装置の輸出や保守を追加的に制限するMATCH法案が議会に提出された。法案にはSMICやCXMTなどが対象企業として挙げられているが、2026年8月27日時点では成立していない。今後、既設装置の部品供給や保守まで規制が拡大すれば、中国企業の生産計画に影響する可能性がある。

■34％という不足率は条件付きの長期予測

ゴールドマンの予測は、中国の先端ウェハー供給が需要より速いペースで拡大するとの見方を数値化したものだ。2035年に不足率が34％まで縮小するかどうかは、SMICが生産能力を計画通り増強し、歩留まりを75％まで引き上げられるかに大きく左右される。

CXMTについても、DRAMの増産計画とHBMの供給拡大は分けて捉える必要がある。HBMではDRAMダイの製造に加えて高度な積層やパッケージングが求められ、通常のDRAM生産能力がそのままHBM供給量になるわけではない。

中国による先端半導体の国内供給は拡大する方向にあるものの、予測には製造技術の成熟、設備投資、装置の国産化、輸出規制の動向という複数の条件が含まれる。34％という数値は確定した将来像ではなく、これらの前提が実現した場合の2035年のシナリオである。

■注目ポイントQ&A

●ゴールドマン・サックスが予測する「34％の不足」とは何ですか？

2035年に中国で必要となる7nm以下のウェハーのうち、国内生産では満たせない割合です。予測では月61万9,000枚の需要に対して国内供給が月41万枚となり、約34％が不足します。

●なぜ工場の増設だけでなくSMICの歩留まりが重要なのですか？

歩留まりは、ウェハー上に製造したチップのうち良品として出荷できる割合を左右するためです。同じ数のウェハーを処理しても、歩留まりが低ければ得られる良品数は少なくなり、良品1個当たりのコストも高くなります。ゴールドマンの供給予測は、生産能力の増強と歩留まりの改善がともに進むことを前提としています。

●CXMTは2028年までに中国のHBM需要の40％を供給できますか？

ゴールドマンはその水準を予測していますが、技術開発や生産能力の配分が計画通りに進むことが条件となります。CXMTの上場時の主要投資計画にはHBM専用プロジェクトが明記されていないため、今後の量産状況を確認する必要があります。

●追加の輸出規制は予測に影響しますか？

影響する可能性があります。特に、既に中国の工場へ導入されているDUV装置について、部品供給や保守サービスまで制限されれば、生産能力や稼働率の前提が変わり得ます。米国のMATCH法案はこうした追加規制につながる可能性がありますが、2026年8月27日時点では成立していません。

元記事: Goldman Sees China Chip Gap Narrowing to 34% by 2035, Lithography Still Binding Limit