Hanmi Semiconductor、SEMICON WestでHBM4向け装置と2.5D実装装置を展示

韓国の半導体製造装置メーカー、Hanmi Semiconductorは、米サンフランシスコで10月13～15日に開かれたSEMICON West 2026で、HBM4向け「TC Bonder 4」と、AI半導体の先端パッケージングに使う装置を紹介した。同社は、より大きなメモリーチップに対応する「Wide TC Bonder」の開発も進めている。

■HBM4向け装置の受注と供給

TCボンダーは、高帯域幅メモリー（HBM）を構成するDRAMのチップを、熱と圧力を使って積層・接合する装置だ。Hanmiは2025年にHBM4向けのTC Bonder 4を投入し、メモリーメーカー向けの供給を拡大している。2026年には6月のCOMPUTEX TAIPEI、9月のSEMICON Taiwanでも同装置を紹介した。

韓国取引所への開示によると、Hanmiは2026年6月、SK hynixからHBM4製造用の「TC Bonder 4.5 Griffin」を442億ウォンで受注した。契約額は約3180万ドル、1ドル＝158円換算で約50億円に相当する。韓国経済新聞は、装置価格を1台約30億ウォンとして、発注規模を15台前後と推計している。

SK hynixはNVIDIAと次世代メモリーで協業しており、同社は自社製HBM4を搭載した「Vera Rubin」を2026年9月に紹介した。Hanmiが受注した装置の具体的な使途とは分けて、HBM4の需要先を示す動きとして捉えられる。

TrendForceの2025年4月の記事は、韓国メディアの報道を引き、HanmiがHBM3E向けTCボンダー市場で約90％のシェアを持つと伝えた。SEMICON Westの出展者情報でも、HanmiはHBM向けTCボンダーで世界首位と説明している。HBM4向け装置の供給拡大は、同社の事業にとって重要な動きだ。

■HBMの積層を支える技術

HBMではDRAMチップを重ね、シリコン貫通電極（TSV）を通じて層間を電気的につなぐ。JEDECが2025年4月に公表したHBM4規格は、最大16層のDRAMチップと、2048ビットのインターフェースに対応する。積層数が増えるほど、チップの位置合わせや反りの管理が重要になる。

TCボンダーは、チップを位置合わせして熱と圧力を加え、接続端子を接合する。非導電性フィルム（NCF）を併用する方式では、フィルムがチップ間の隙間を埋める。一方、SK hynixは自社のHBM4に、積層後に保護材を充填・成形する「Advanced MR-MUF」を採用すると説明している。接合と封止には、メーカーごとに異なる工程が使われる。

Hanmiが開発するWide TC Bonderは、次世代HBMで想定する、より面積の大きいチップに対応する装置だ。同社はHBM5やHBM6を対象に挙げ、2027年の投入を計画している。チップの大型化に対応できる接合装置は、メモリーの容量や帯域幅を高める設計の選択肢を広げる。

■ハイブリッド接合と2.5D実装

Hanmiは、チップ間の金属端子を直接つなぐハイブリッド接合向け装置も開発している。韓国のアジア経済によると、同社は2025年に専用工場へ1000億ウォンを投じる計画を示し、2027年末までの装置投入を目標に掲げた。当時の換算額は約7190万ドル、1ドル＝158円換算で約114億円となる。

次世代装置では他社も開発を進める。韓国経済新聞は、LG Electronicsがハイブリッドボンダーの開発に着手し、2028年の完成を目指すと報じた。Hanwha SemitechもHBM向けTCボンダーを製品群に加えている。接合方式の選択は、積層するチップの構造や各社の製造工程に関わる。

HanmiがSEMICON Westで紹介した2.5Dパッケージング向け装置は5機種ある。「FC Bonder 3.5」「FC Bonder 75」に加え、「2.5D TC Bonder 40 C2S」「同40 C2W」「同120」だ。2.5D実装では、演算用チップとHBMなどを一つのパッケージ内に配置し、短い配線で接続する。

同社は2026年9月、FC Bonder 75を顧客へ初出荷したと発表した。ほかの4機種のうち、FC Bonder 3.5と40 C2S、40 C2Wは顧客向けに供給され、120は投入を控える。切断・洗浄・検査などを担う「Micro Saw and Vision Placement（MSVP）」も、同社が展開する後工程装置の一つだ。

■業績と生産・米国拠点の計画

Hanmiの2026年第2四半期の連結売上高は2511億ウォン、営業利益は1303億ウォンで、営業利益率は51.9％だった。原文のドル換算額を基に1ドル＝158円で換算すると、それぞれ約285億円、約148億円となる。2025年通期の売上高は5767億ウォン、営業利益は2514億ウォンだった。

ソウル経済新聞によると、同社は2026年8月、仁川の第8工場に1300億ウォンを投じる計画を発表した。原文のドル換算額を基にすると約148億円に当たる。新工場ではHBM向けのTCボンダーとハイブリッドボンダーに加え、2.5D実装装置なども製造する予定だ。

同社は2026年末までに、米カリフォルニア州サンノゼに米国法人「Hanmi USA」を設ける計画も示している。顧客への技術支援や装置の保守を現地で担う構想だ。米半導体工業会が2026年9月に更新した集計では、2020年以降に米国で発表された半導体関連の民間投資は、30州の160件超、総額8280億ドル超に上る。

米国のCHIPS法は半導体の製造や研究開発などに公的資金を用意しており、先端パッケージングも投資対象の一つだ。SEMICON West 2026では先端パッケージングと異種集積を扱う専門プログラムも組まれた。HanmiはHBMの積層装置に加え、AI半導体を組み立てる工程でも顧客を広げようとしている。

元記事: Hanmi Semiconductor Cements TC Bonder Leadership at SEMICON West as HBM4 Orders Surge