キヤノン、200mm対応の露光装置販売 IoTや車載向け半導体の最適な製造

2017年12月12日 22:30

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i線半導体露光装置「FPA-5550iZ2」(写真:キヤノンの発表資料より)

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  • KrF半導体露光装置「FPA-6300ES6a」

 キヤノンは11日、メモリー・ロジック・イメージセンサーなどIoT・車載向け半導体デバイスの量産において定評のあるi線半導体露光装置「FPA-5550iZ2」とKrF半導体露光装置「FPA-6300ES6a」に対応する“200mmオプション”を同日より発売すると発表した。

【こちらも】東芝・キヤノン連合、次世代「BiCS FLASH」の微細化技術 サムスンに対抗

 研究段階の最先端微細加工寸法は7ナノメートル(1ナノメートルは10億分の1メートル)である。そのため、半導体の微細寸法の知見があると、10年から20年前のプレスリリースの記事と勘違いするかもしれない。

 i線半導体露光装置で扱う微細加工寸法は350ナノメートル、KrF半導体露光装置で扱う微細加工寸法は90ナノメートルであり、IoTの需要は先端の露光技術よりも、数世代前の半導体の製造技術を必要とする。なお、i線は波長365ナノメートル、KrFは波長248ナノメートルの光源を用い、その数分の1の微細加工を実現する。

●半導体露光装置メーカー

 2000年頃、半導体露光装置のシェアはトップのニコンが40%強、2位のキヤノンが40%弱、3位のオランダASMLが20%と日本勢が優勢であった。

 現在ではASMLが先端の露光装置で先行し90%のシェアを誇るとの情報もある。その先端の露光装置は、サムスンやファウンダリーメーカーのTSMCを筆頭に採用が進む。

 他方、ニコンは露光装置市場から撤退。キヤノンは7月、先端露光にナノインプリント技術を東芝と開発し、先端のフラッシュメモリの量産に着手している。

 メモリーやプロセッサーなどの半導体デバイスでは、最先端の微細加工技術を用い、300mmウエハーを使用して製造するのが一般的である。それは、大量生産の効果が最大になるからである。先端の微細加工技術を用いれば、チップサイズが縮小し、ウエハー当たりのチップ数が増す。同様にウエハーサイズを大きくすれば、さらにチップ数は増す。

●キヤノン露光装置に200mmのオプション

 急速に普及が進むIoTや車載向けの半導体デバイスにおいては、実績のあるプロセスでの多品種少量生産が求められる。そのため、デバイスメーカーからは、300mmではなくて、200mmウエハーに対応した装置の要請が高まっている。

 そこで、生産性や重ね合わせ精度で定評のある300mmウエハー対応のi線半導体露光装置「FPA-5550iZ2」、KrF半導体露光装置「FPA-6300ES6a」向けに、200mm ウエハーに対応する“200mmオプション”を発売する。

●IoT向け露光装置(キヤノン、「FPA-5550iZ2」、「FPA-6300ES6a」)のテクノロジー

 200mmのウエハーオプションで業界最高水準の生産性を誇る。「FPA-5550iZ2」は毎時230枚、「FPA-6300ES6a」は毎時255枚の露光処理が可能という。

 なお、両装置共に同一のプラットフォームを使用。市場で稼働している装置へのソリューション提供、生産性や重ね合わせ精度向上のための継続的なアップグレードが容易だという。(小池豊)

関連キーワードキヤノンニコンIoT(Internet of Things)東芝半導体

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