東芝、世界初の15nmプロセスNAND型フラッシュメモリを開発

　東芝は23日、世界初という15nmプロセスを用いた2bit／セルの128Gbit（16GB）のNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。今月末から四日市工場の第5製造棟で、現行世代の19nm第二世代品から切り替えて順次量産していくという。

　同社によると、今回の新製品は、世界最先端の15nmプロセスを適用するとともに周辺回路の工夫により、世界最小クラスのチップサイズを実現した。19nm第二世代品と比較して書き込み速度はほぼ同等、データ転送速度は高速インタフェース仕様の採用により、1.3倍の速さである533Mbpsを実現したという。

　同社は15nmプロセスを採用した3ビット／セル製品も第1四半期中の量産開始を計画しており、並行して開発している高性能NANDコントローラを組み合わせてスマートフォンやタブレットPCなどに展開する予定。また、SSDの開発も進め、ノートPCなどへの搭載も図る。

　米サンディスクも米国時間22日に15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリを開発し、出荷を開始したと発表した。量産は2014年後半を予定しているという。