Patentix株式会社のプレスリリース

  • 配信日時
  • 2026-04-06 10:00:00
デプレッション型r-GeO2 MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
  • 配信日時
  • 2026-03-31 16:20:00
アクセプタ不純物をイオン注入したルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜においてp型のショットキーバリアダイオード特性の発現を確認
  • 配信日時
  • 2026-03-31 16:20:00
  • 配信日時
  • 2026-01-26 10:00:00
  • 配信日時
  • 2026-01-13 10:00:00
  • 配信日時
  • 2025-11-18 09:00:00
FZ法を用いたr-GeO2バルク結晶の育成に世界で初めて成功
  • 配信日時
  • 2025-10-31 09:00:00
  • 配信日時
  • 2025-10-03 09:00:00
Patentix、日電精密工業との協業により、新製品の有償サンプル出荷を開始製造拠点を日電精密工業 神戸工場に定め、高品質な量産化に向けた第一歩へ
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  • 2025-07-24 10:00:00
Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)薄膜の作製に成功~次世代半導体材料r-GeO2を安価に実現する道を拓く~
  • 配信日時
  • 2025-07-23 10:00:00
r-GeO2半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功
  • 配信日時
  • 2025-07-23 10:00:00
r-GeO2半導体のp型導電の可能性を示唆する電気特性を確認~複数の評価手法によるp型導電性実証計画を策定へ~
  • 配信日時
  • 2025-07-19 12:10:02
ルチル型二酸化ゲルマニウムのバルク結晶の合成に成功
  • 配信日時
  • 2025-06-30 14:00:05
世界初 ルチル型GeO2結晶によるショットキーバリアダイオード動作を確認
  • 配信日時
  • 2024-11-27 10:00:00
“世界初”ルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜にてN型導電性を確認
  • 配信日時
  • 2024-09-26 11:00:00

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