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Samsung、7nmプロセスに向けたEUVリソグラフィ技術を開発

2017年6月13日 20:11

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記事提供元：スラド

　Samsung Electronicsが7nmプロセスによる半導体生産に向け、EUV（Extreme Ultra-Violet、極端紫外線）リソグラフィを採用したFinFET技術を開発したことを明らかにした（PC Watch）。

　これによってマスクの枚数を削減でき、複雑なパターンも明瞭に形成できるようになるという。7nmプロセスでEUVを利用するかどうかは各社で対応が異なっており、TSMCやGLOBALFOUNDRIESは7nmプロセスにおいて当初は既存のパターニング技術を用いるとしていた（2016年11月のPC Watch記事）。Samsungにおける7nmプロセスでの量産開始は2018年以降になるようだ。

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※この記事はスラドから提供を受けて配信しています。

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