東芝：PCIe® 6.0やUSB4® Version 2.0などの高速差動信号に対応した2:1 マルチプレクサー/1:2デマルチプレクサースイッチの発売について

～産業用途に適した125°C対応製品～

（川崎）- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、PCIe^® 6.0^[注1]やUSB4^® Version 2.0^[注2]などの次世代高速インターフェースに対応した、2:1マルチプレクサー （Mux）/ 1:2デマルチプレクサー（De-Mux）スイッチ「TDS5C212MX」および「TDS5B212MX」 を製品化しました。本製品は、本日より出荷を開始します。

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東芝：PCIe® 6.0やUSB4® Version 2.0などの高速差動信号に対応した2:1 マルチプレクサー/1:2デマルチプレクサースイッチ「TDS5C212MX」および「TDS5B212MX」

近年、サーバーや産業用テスター、ロボット、PCなどでは、PCIe^® 6.0やUSB4^® Version 2.0に代表される超高速・広帯域な差動信号を、限られた基板スペースの中で高信頼に切り替えるニーズが高まっています。新製品は、こうしたニーズに応えるため、当社独自のSOIプロセス（TarfSOI™）^[注3]を採用することで、TDS5C212MXでは業界トップクラス^[注4]となる-3dBバンド幅（差動）34GHz（typ.）、TDS5B212MXでは29GHz（typ.）を実現し、高速通信時の信号波形の歪みを大幅に抑制し、高速通信時の信頼性向上に貢献します。

これらの特長により、PCIe^® 6.0やUSB4^® Version 2.0などの高速差動信号用途で、2入力1出力のMuxスイッチ、または1入力2出力のDe-Muxスイッチとして使用できます。1つの高速インターフェースを複数の機器で共有したり、用途に応じて信号経路を切り替えたりすることが可能です。

さらに、TDS5C212MXおよびTDS5B212MXは、高周波特性に適した端子配置を採用しています。特にTDS5C212MXでは、信号経路を最短化することで反射や損失を抑え、高速信号の品質向上を図っています。また、動作温度範囲は-40°Cから125°Cまで対応しており、産業用途にも使用可能です。

当社は今後も、高速インターフェースの進化に対応した高性能・高信頼性のアナログスイッチ製品の開発を通じて、次世代システムの実現に貢献していきます。

[注1]　

PCI-SIGが策定する次世代インターフェース規格。PCIe® 5.0と比較して転送速度を2倍の64 GT/sに向上。

[注2]　

USB‑IFが策定するインターフェース規格で、最大80 Gbpsの高速データ転送に対応。

[注3]　

TarfSOI™ (Toshiba advanced RF SOI)：当社が高周波半導体用に独自に開発したSOI-CMOS (Silicon On Insulator-Complementary Metal Oxide Semiconductor) フロントエンドプロセス。

[注４]　

2:1 Mux / 1:2 De-Muxスイッチとして。2026年5月時点、当社調べ。

応用機器

産業用テスター、ロボットPC、サーバー、モバイル機器、ウエアラブル端末など対応インターフェース：

PCIe^® 系列：PCIe 6.0 / 5.0 / 4.0 / 3.0CXL 系列：CXL 3.0 / 2.0 / 1.0USB 系列：USB4^® Version 2.0 / USB4^® / USB3.2 Gen2×1 / Gen1×1Thunderbolt™ 系列：Thunderbolt 5 / 4 / 3 / 2DisplayPort™ 系列：DisplayPort 2.0 / 1.4 / 1.3 / 1.2新製品の主な特長

PCIe^® 6.0やUSB4^® Version 2.0などの高速差動信号に対応した高い-3dB バンド幅（差動）
TDS5C212MX：-3dB バンド幅 (差動) =34GHz (typ.)
TDS5B212MX：-3dB バンド幅 (差動) =29GHz (typ.)動作温度範囲：-40～125°C新製品の主な仕様

品番

TDS5C212MX

TDS5B212MX

パッケージ

名称

XQFN16

サイズ (mm)

2.4×1.6 (typ.)、t=0.4 (max)

動作範囲

(Ta=-40～125°C)

電源電圧 VCC (V)

1.6～3.6

差動信号電圧 (peak to peak) VI/O(Diff) (V)

0～1.8

コモン信号電圧 VI/O(Com) (V)

0～2.0

DC特性

(Ta=-40～125°C)

消費電流 Iope (μA)

VS = 0V

Typ.

70

高周波特性

(Ta=25°C)

-3dB バンド幅 (差動) BW(Diff) (GHz)

Typ.

34

29

差動挿入損失

DDIL (dB)

f=5.0GHz

Typ.

-0.7

-0.7

f=8.0GHz

-0.8

-0.8

f=10.0GHz

-0.9

-0.9

f=12.8GHz

-1.1

-1.1

f=16.0GHz

-1.2

-1.2

差動反射損失

DDRL (dB)

f=5.0GHz

Typ.

-21

-20

f=8.0GHz

-24

-20

f=10.0GHz

-21

-19

f=12.8GHz

-20

-20

f=16.0GHz

-14

-15

差動オフ・アイソレーション

DDOIRR (dB)

f=5.0GHz

Typ.

-33

-36

f=8.0GHz

-27

-29

f=10.0GHz

-25

-26

f=12.8GHz

-24

-26

f=16.0GHz

-24

-27

差動クロストーク

DDXT (dB)

f=5.0GHz

Typ.

-41

-41

f=8.0GHz

-37

-37

f=10.0GHz

-35

-35

f=12.8GHz

-33

-33

f=16.0GHz

-31

-31

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汎用ロジックIC

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*USB4^®は、USB Implementers Forumの登録商標です。
*Thunderbolt™は、Intel Corporationあるいはその子会社の商標です。
*DisplayPort™は、米国及びその他の国でVideo Electronics Standards Association (VESA^®) が所有する商標です。
*PCIe^®はPCI-SIGの登録商標です。
*TarfSOI™は、東芝デバイス＆ストレージ株式会社の商標です。
*その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
*本資料に掲載されている情報 (製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。



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半導体広報・予測調査部
長沢
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