突入電流に強い 650V、6A/8A/10A SiCショットキーバリアダイオード XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズ

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トレックス・セミコンダクター株式会社（東京都江東区 代表取締役：木村　岳史　以下トレックス）は、突入電流やサージ電流に強い 650V SiCショットキーバリアダイオード「XBSC41 / XBSC42 / XBSC43シリーズ」 を開発しました。

XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズは650V耐圧に対応し、6A/8A/10Aの各電流レンジをラインアップすることで、用途や設計条件に応じて柔軟に選択頂く事が可能です。低逆回復特性によりスイッチング損失を抑え、高効率な電力変換を実現します。

さらに、本シリーズは 性能指数（FOM）(図1)を小さく抑えることで損失を低減し、高効率な動作を可能にすると同時に、IFSM（サージ順電流）(図2)耐量を大幅に強化しました。これにより、過酷なサージ電流や突入電流が発生する環境下においても安定した動作を実現し、システム全体の信頼性向上に貢献します。
高効率と高信頼性を高次元で両立した本シリーズは、SiCデバイスならではの高速スイッチング特性と低損失性能に加え、スタートアップ時や突入電流発生時にも余裕を持った設計を可能にしました。スイッチング電源、白物家電、汎用インバータなど、信頼性が重視される幅広いアプリケーションにおいて、安心してご使用いただけます。
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図1. XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズ性能指数（FOM）

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図2. XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズサージ順電流（IFSM）耐量

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図3. パッケージTO-220AC (10.29 x 28.69 x 4.75mm)


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