【ライブ配信/ZOOM】「次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」セミナー開催！2月10日（火）主催：(株)シーエムシー・リサーチ

★脱炭素・AI時代を支える次世代パワーデバイス技術の真髄を解説-電動車とデータセンタの進化を支えるSiC/GaNパワーデバイス。性能・信頼性・コストの壁をどう超えるか？



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主催：(株)シーエムシー・リサーチ（https://cmcre.com/）より、
注目のライブ配信セミナー開催のお知らせです。
???? 講師：岩室 憲幸 氏（筑波大学 数理物質系 物理工学域　教授）
???? 開催日時：2026年2月10日（火）10:30～16:30
????️ Zoom配信（資料付）
???? テーマ：「次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」
――高性能化・高効率化を牽引するSiC/GaNパワーデバイス。最新構造、プロセス、実装技術を網羅し、Siデバイスとの競争を見据えた次世代設計の要点を学ぶ。
受講料
・一般：55,000円（税込）
・メルマガ会員：49,500円（税込）
・アカデミック：26,400円（税込）

詳細・お申込みはこちら

???? 質疑応答の時間もございます。
研究・業務での活用に向け、ぜひご参加ください！
　
【セミナーで得られる知識】
　データセンタ用電源やxEVにおけるパワーデバイスの使われ方。パワーデバイス全体の最新技術動向、Si,SiC,GaNデバイス・実装最新技術、Si、SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など
　　
【セミナー対象者】
　パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者
　　
　　
1）セミナーテーマ及び開催日時
テーマ：次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題
開催日時：2026年2月10日（火）10：30～16：30
参 加 費：55,000円（税込） ※ 資料付
　　　＊ メルマガ登録者は 49,500円（税込）
　　　＊ アカデミック価格は 26,400円（税込）
講 師：岩室 憲幸 氏 筑波大学 数理物質系 物理工学域　教授
　　
　　
〈セミナー趣旨〉
　本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった。さらにAI化の流れにのってデータセンタの建設が世界各地で進んでいる。このデータセンタはその電力消費が莫大と言われており、サーバ用電源の高効率化は喫緊の課題でもある。
　これらxEV化ならびにサーバ用電源の高効率化の進展には高性能パワーデバイスが必要不可欠であり，特に新材料パワーデバイスであるSiC/GaNパワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていない。SiC/GaNパワーデバイスの今後について、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。
　　
※本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。推奨環境は当該ツールをご参照ください。後日、視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。
★受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。
　　
　　
2）申し込み方法
シーエムシー・リサーチの当該セミナーサイトからお申し込みください。
折り返し、 視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。
詳細はURLをご覧ください。
　　
　　

お申し込みはこちら

　　
　　
3）セミナープログラムの紹介
（途中休憩をはさみます）
　　
1．パワーエレクトロニクスとは？
　1-1　パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2　パワーデバイスの種類と基本構造
　1-3　パワーデバイスの適用分野
　1-4　高周波動作のメリットは
　1-5　パワーデバイス開発のポイントは何か
　　
2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
　2-1　MOSFET・IGBT開発のポイント
　2-2　特性向上への挑戦
　2-3　MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
　2-4　最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
　2-5　新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発
　　
3．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1　ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-2　SiCのSiに対する利点
　3-3　SiC-MOSFETプロセス
　3-4　SiCデバイス普及拡大のポイント
　3-5　SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
　3-6　最新SiC-MOSFET技術
　　
4．GaNパワーデバイスの現状と課題　
　4-1　GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
　4-2　GaN-HEMTの特徴と課題
　4-3　GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
　4-4　GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
　4-5　縦型GaNデバイスの最新動向
　　
5．高温対応実装技術
　5-1　高温動作ができると何がいいのか
　5-2　SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　5-3　ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
　　
　　
　　
4）講師紹介
岩室 憲幸 氏　　筑波大学 数理物質系 物理工学域　教授
【講師経歴】
　1998年 博士（工学）（早稲田大学）。富士電機(株)に入社後、1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
　1992年　North Carolina State Univ. Visiting Scholar
　1999年～2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
　2009年5月～2013年3月　産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
　2013年4月～　国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
【活　動】
　IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD) 2021 組織委員会委員。日経エレクトロニクス パワエレアワード 2020 最優秀賞（2020年）。
【著　書】
　1) パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス（科学情報出版(株)）（2024年2月発刊）
　2) 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装（科学情報出版(株)）（2019年9月発刊）
　3) SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント（監修）（S&T 出版）（2018年1月
発刊）
　4) 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開（監修）（シーエムシー出版）（2015年6月発刊）
　5) 世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない- (編集委員)（電気学会）（2008年12月発刊）など
　
　　
　　

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5）近日開催ウェビナー（オンライン配信セミナー）のご案内
〇PFAS除去を目的としたイオン交換樹脂の基礎と課題、PFAS処理技術
　2026年1月13日（火）13:30～16:30
〇非フッ素系撥水・撥油コーティングの基礎と応用、開発動向
　2026年1月14日（水）13:30～16:30
　https://cmcre.com/archives/136164/
〇PFAS代替品開発の基礎と応用、動向
　2026年1月14日（水）13:30～16:30　
　https://cmcre.com/archives/137986/
〇半導体パッケージ技術の基礎講座
～ パッケージ形態の変遷、製造工程と用いられる装置・材料、最新トレンドまで ～
　2026年1月16日（金）13:30～16:30　
　https://cmcre.com/archives/139173/
〇次世代エネルギーを切り拓く ― 水系準固体リチウムイオン電池への挑戦 ―
　2026年1月20日（火）13:30～16:30　
　https://cmcre.com/archives/137139/
〇先端PFAS類の分解、再資源化技術
　2026年1月21日（水）13:30～16:30　
　https://cmcre.com/archives/137109/
〇創薬DXにおけるAIの活用と展望
　2026年1月22日（木）13:30～16:30　
　https://cmcre.com/archives/139239/　　　
〇食品の官能評価の基礎と手順・手法の勘所
　2026年1月26（月）10:30～16:30　
　https://cmcre.com/archives/136048/
〇マイクロ波加熱の基礎　～ 電子レンジから高温加熱炉まで ～
　2026年1月29日（木）10:30～16:30　
　https://cmcre.com/archives/136294/　　
〇実務に直結！ 食品検査の基礎を徹底解説
　2026年1月30日（金）13：30～15：30
　https://cmcre.com/archives/138431/
〇AI時代のデータセンターが抱える熱問題の現状・課題と冷却技術による対策動向および今後の展望
　2026年2月3日（火）13:30～16:30　
　https://cmcre.com/archives/140060/
〇ヒト正常口腔粘膜3次元インビトロモデルを利用した医学生物学的研究への応用
　2026年2月4日（水）10：00～12：00
　https://cmcre.com/archives/134346/
〇フッ素フリーで実現可能な撥水・撥油処理技術
　ぬれの基礎と液体の滑落性を向上させるための表面設計指針と実例
　2026年2月5日（木）13:30～16:30　
　https://cmcre.com/archives/138252/
〇マテリアルズインフォマティクスの中核をなす計算科学シミュレーション技術
　2026年2月6日（金）10:30～16:30　
　https://cmcre.com/archives/137196/　　　　
〇次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題
　2026年2月10日（火）10:30～16:30　
　https://cmcre.com/archives/138269/
〇硅素化学製品の基本情報と応用技術・用途　～ シリコン、シラン、シリコーンの基本と応用 ～
　2026年2月13日（金）13：00～16:30　
　https://cmcre.com/archives/140034/
　　　　

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6）関連書籍のご案内
　

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