最先端半導体パッケージ用の新規感光性ドライフィルム「サンフォート(TM)」を開発

～AIサーバー向け再配線層におけるさらなる微細化へ、LDI露光で1.0μm幅パターンを実現～



旭化成株式会社（本社：東京都千代田区、社長：工藤 幸四郎、以下「当社」）は、2025年5月、AIサーバー用などの先端半導体パッケージの製造工程に使用される新規感光性ドライフィルム「サンフォート TAシリーズ」（以下、「TAシリーズ」）を開発しました。感光性ドライフィルムは、当社のエレクトロニクス事業における中核製品の一つであり、今回の「TAシリーズ」は、急成長する次世代半導体パッケージング市場の成長に対応すべく開発されました。「TAシリーズ」は、従来のStepper露光機※1に加えLDI（レーザーダイレクトイメージング）露光機※2にも対応し、いずれの露光方式においても極めて高い解像性を実現し、パッケージング工程において基板への微細回路パターンの形成性能力の向上に貢献します。
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感光性ドライフィルム「サンフォート(TM)」

当社は、『中期経営計画2027 ～Trailblaze Together～』においてエレクトロニクス事業を重点成長事業の一つと位置づけています。エレクトロニクス事業は電子材料事業と電子部品事業の2つの事業体から構成されており、「サンフォート(TM)」は、電子材料事業を担う中核製品の一つです。

AIサーバー用などの先端半導体パッケージに適用されるインターポーザー※3やパッケージ基板には、大面積・高多層化に加えて高密度な微細配線形成技術の高度化が求められています。こうした微細配線が形成される再配線層（RDL）用のフォトレジスト材料としては、解像度の観点から長らく液状レジストが主流となっていました。一方で、感光性ドライフィルムはパネル適合性、取り扱いの簡便性、基板上下面での同時処理可能などの利点を有していますが、解像度の不足によりこれまではRDL形成には適用されてきませんでした。

このたび当社が長年培ってきた感光性材料技術と新たな材料設計を元に開発した「TAシリーズ」は、RDL形成に求められる4µｍピッチデザインにおいてLDI露光でのレジスト幅1.0µｍのパターンが形成可能であり、パネルレベルパッケージ※4などの微細配線形成に適した感光性フィルム材料です（図aおよびb）。得られた微細レジストパターンはSAP（セミアディティブプロセス）※5によるめっきパターン形成と続くレジスト剥離により、4µｍピッチデザインにおいて3µｍ幅のめっきパターンの形成が可能です（図c）。
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LDI露光により形成した7µm厚TAシリーズの微細パターン(a) レジストパターン（ライン幅/スペース幅=1.0/3.0µｍ）正面(b) レジストパターン（ライン幅/スペース幅=1.0/3.0µm）斜め

[画像3: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/79452/192/79452-192-ea59109f658db67fd73b2ac7649bb095-2490x636.png?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
(c) めっき・レジスト剥離後パターン断面（めっきライン幅/スペース幅=3.0/1.0µｍ）

またTAシリーズは従来のStepper露光方式にも対応しており、多様化する微細配線形成の工程に新たな選択肢を提供します。


当社は、今後も感光性ドライフィルム「サンフォート(TM)」を通じて、パネルサイズの大型化に伴い重要性が増すパネルレベル・パッケージング技術開発に今後も貢献してまいります。


参考：感光性ドライフィルム「サンフォート(TM)」ホームページはこちら
※1：縮小投影露光装置とも言い、ガラスフォトマスクのパターンをウエハに直接縮小露光する方式のこと
※2：レーザー技術を用いて基板を短時間で高精度に露光する方式のこと
※3：半導体チップや電子部品を接続するための中間基板のこと
※4：半導体チップを基板に実装する際の工程において、従来の円形ウエハではなく、大型の四角いパネル状基板を使用する先進的なパッケージング技術
※5：シード層（無電解銅やスパッタ銅）の上に、レジストで非回路パターンを形成した後、電解めっきで回路を形成し、最後に不要なシード層をエッチングで除去する方法

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