低ノイズ追及 SiCパワーモジュール サンプル出荷開始

新電元工業は民生・産業機器向けにSiCパワーモジュール「MG074」のサンプル出荷を開始します。



[画像1: https://prtimes.jp/i/63577/72/resize/d63577-72-5a58fa713f889aab7364-0.png ]

民生・産業機器市場におけるフルブリッジコンバータやブリッジレスPFCなどの用途では、省エネ化の観点から高効率・低損失なパワーデバイスが求められています。このようなパワーデバイスではスイッチング時の損失を低減させるために、従来のSiデバイスから高速動作可能なSiCデバイスへの置き換えが進んでいます。しかし、高速動作時に発生するサージ電圧はノイズやリンギングの原因となっており、その対策が課題となっています。

このような課題を解決すべくSiCパワーモジュール「MG074」を開発しました。本製品は、搭載されているSiC MOSFETの性能を最大限引き出すため新たに開発したパッケージを採用しています。内部構造を左右対称レイアウトとし配線長が等しくなるよう設計したことで、電流経路で発生するサージ電圧の差を最小限に抑制しました。加えてモジュール内部の端子とパターンの配置を工夫することでディスクリート製品※1を2個使用した場合と比べ浮遊インダクタンスを66％低減しました。これにより機器の低ノイズ化に貢献します。
また本製品は半導体素子を分散配置することで熱干渉性を低減し、機器の高性能化・高信頼性化を実現します。
※1「TO-247 4pin」との比較

■特長
１．低ノイズ性能
当社独自のパッケージ技術によって浮遊インダクタンスを低減し、ターンオン波形・ターンオフ波形の改善によるノイズの抑制を実現
[画像2: https://prtimes.jp/i/63577/72/resize/d63577-72-f26905ec10df519f596a-8.png ]

(1) 浮遊インダクタンスの低減
端子とパターンの配置を工夫することでディスクリート製品※1を2個使用した場合と比べ浮遊インダクタンスを66％低減し、サージ電圧の抑制に貢献
※1 「TO-247 4pin」との比較
[画像3: https://prtimes.jp/i/63577/72/resize/d63577-72-9f10215815328d595c53-2.png ]

(2) 左右対称レイアウト
内部構造を左右対称レイアウトとし配線長が等しくなるよう設計したことで、電流経路で発生するサージ電圧の差を最小限に抑制
[画像4: https://prtimes.jp/i/63577/72/resize/d63577-72-e18844ca841abd4e822e-3.png ]

２．熱干渉の抑制
発熱源である半導体素子を分散して配置することで、熱の干渉による温度上昇を抑制
[画像5: https://prtimes.jp/i/63577/72/resize/d63577-72-48b5b353c2686da93d04-4.png ]


■用途例
・民生機器のブリッジレスPFC回路
・産業機器のフルブリッジコンバータ

■内部等価回路図
[画像6: https://prtimes.jp/i/63577/72/resize/d63577-72-6cb2080399d247098cdd-5.png ]

■製品仕様
[画像7: https://prtimes.jp/i/63577/72/resize/d63577-72-3c413678df0dafa0547c-9.png ]


■発売時期
2025年冬予定


新電元工業株式会社について
新電元工業は、 1949年の設立以来、 パワー半導体やスイッチング電源などパワーエレクトロニクスを主な事業領域として、 独創的な技術を活かした数多くの製品を開発し、 世界各国のお客様の期待と信頼にお応えしてきました。
新電元工業は、 半導体技術、 回路技術、 実装技術を併せ持つ世界でも稀なメーカーとしてコア技術を融合し、 発展・応用させていくことで、 持続可能な社会の実現の一翼を担う製品をご提供していきます。詳細については新電元工業のウェブサイト（https://www.shindengen.co.jp/）をご覧ください。

お問合せ先
新電元工業株式会社 マーケティング部
hansoku@shindengen.co.jp

PR TIMESプレスリリース詳細へ