業界トップレベルの高精度を誇る1セル リチウムイオン電池用 温度保護機能付きハイサイド保護IC「NB7120シリーズ」新発売

安全性向上に貢献

日清紡マイクロデバイス株式会社（代表取締役社長：吉岡　圭一）は、業界トップレベル※1の高精度を誇る1セル　リチウムイオン電池用温度保護機能付きハイサイド保護 IC 「NB7120シリーズ」 を発売します。
※1　2024年5月8日　日清紡マイクロデバイス調べ



１セル リチウムイオン電池を搭載するウエアラブル/ヒアラブル機器は、VR／AR（Virtual Reality／Augmented Reality）の普及などにより市場が拡大しています。特に人が直接身に着ける機器に使用されるため、電池の発火などの防止に保護機能の安全対策がますます重要になっています。

NB7120シリーズ は、ハイサイドNch MOSFET駆動タイプでシステム側と電池パック側のグラウンドレベルに差を生じさせないため通信が容易になります。同タイプでは過充電検出精度（-20℃ ～ 60℃）および充放電過電流検出精度を業界トップレベルにまで高めたことで、機器の安全性を向上させます。また、内部回路を停止させることにより過放電検出後の消費電流を最小限に抑え、製品販売前の在庫期間などでの電池の残量目減りを最小限に抑えることが可能です。
さらに小型パッケージWLCSP-8-P15を採用し、高精度、低消費、安全性向上、省スペースという特長を活かし、お客様のリチウムイオン電池アプリケーションの競争力向上に貢献します。
　
[表1: https://prtimes.jp/data/corp/71712/table/85_1_d6eba9a1ce1ede6688e6d137e80dedd2.jpg ]

※　2024年５月現在の消費税率に基づいて金額を表示しています

特　長
１．業界トップレベルの高精度な過充電検出電圧（OVP）
セル検出電圧範囲　:　4.2V ～ 4.6V
-20℃ ～ 60℃　温度範囲　 精度　:　±12mV
充電電圧の上昇傾向の中、室外でも精度向上により安全性向上に貢献します。

２．ハイサイドでは、業界トップレベルの高精度な過電流検出機能
放電過電流　検出範囲　：0.0080V ～ 0.0300V精度　：　±1.5mV
0.0301V ～ 0.0600V精度　：　±5.0%
0.0601V ～ 0.0800V精度　：　±3mV

充電過電流　検出範囲　：-0.0080V ～ -0.0325V精度　：　±1.5mV
-0.0326V ～ -0.0600V 精度　：　±5.0%
-0.0601V ～ -0.0800V 精度　：　±3mV

過電流検出の低電圧化、高精度化によってセンス抵抗（RSENS）の低抵抗化が可能となります。基板の発熱及 び電池パックのインピーダンスを低減することで、大電流時の発熱を抑えてボードの熱設計を容易にします。

３．高精度な過放電検出電圧（UVP）
セル検出電圧範囲　:　2.0V ～ 3.4V 　　精度　:　±35mV
高精度のため電池残量を下限付近まで使用でき、電池の使用時間延長に貢献します。

４．業界トップレベルの低消費電流
通常動作時　　 ：　Typ 5.0µA
スタンバイ電流　：　Max 0.04µA （過放電検出ラッチタイプ）
動作時低消費電流、低スタンバイ電流により、アプリケーション駆動時間の長時間化が可能です。

５．高精度0V充電禁止電圧
設定範囲　：　1.25V ～ 2.00V　　　精度　：　±50mV
０V電池（低電圧電池）への充電は内部ショートの可能性があり、安全面から禁止電圧を0.05Vと細かく設定したいという要望に対応します。

６．強制スタンバイ機能
過放電状態にすることなく、CTL端子を使用することで強制的にスタンバイ状態にすることが可能です。充電器を接続するまでは大幅に消費電流を抑えることができます。

７．超小型パッケージ
超薄型のWLCSP-8-P15（1.50×1.08×0.38 mm）のリードレス超小型パッケージを採用。
[画像1: https://prtimes.jp/i/71712/85/resize/d71712-85-aef65cb5708f302b0b62-0.jpg ]


主 要 仕 様　　　詳細はデータシートを参照ください
[表2: https://prtimes.jp/data/corp/71712/table/85_2_4400f3af0bb754c66d4f40dc59763bd9.jpg ]


基 本 回 路 例

[画像2: https://prtimes.jp/i/71712/85/resize/d71712-85-b555de279b513c78ce2d-1.png ]

　　
お問い合わせ先
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東京都中央区日本橋横山町3番10号
URL ：https://www.nisshinbo-microdevices.co.jp/
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