Patentix株式会社のプレスリリース

Si基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)の単結晶膜の成膜に成功

• 発表会社
• Patentix株式会社

• 配信日時
• 2026-05-13 09:00:00

• 配信元
• PR TIMES

「びわこ半導体構想」本格始動に向けての事務局設立のお知らせ

• 発表会社
• Patentix株式会社

• 配信日時
• 2026-05-13 09:00:00

• 配信元
• PR TIMES

6インチSi基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)の成膜に成功

• 発表会社
• Patentix株式会社

• 配信日時
• 2026-05-13 09:00:00

• 配信元
• PR TIMES

デプレッション型r-GeO2 MOSFETのトランジスタ動作実証に成功

• 発表会社
• Patentix株式会社

• 配信日時
• 2026-03-31 16:20:00

• 配信元
• PR TIMES

アクセプタ不純物をイオン注入したルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜においてp型のショットキーバリアダイオード特性の発現を確認

• 発表会社
• Patentix株式会社

• 配信日時
• 2026-03-31 16:20:00

• 配信元
• PR TIMES

FZ法を用いたr-GeO2バルク結晶の育成に世界で初めて成功

• 発表会社
• Patentix株式会社

• 配信日時
• 2025-10-31 09:00:00

• 配信元
• PR TIMES

Patentix、日電精密工業との協業により、新製品の有償サンプル出荷を開始製造拠点を日電精密工業 神戸工場に定め、高品質な量産化に向けた第一歩へ

• 発表会社
• Patentix株式会社

• 配信日時
• 2025-07-24 10:00:00

• 配信元
• PR TIMES

Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）薄膜の作製に成功～次世代半導体材料r-GeO2を安価に実現する道を拓く～

• 発表会社
• Patentix株式会社

• 配信日時
• 2025-07-23 10:00:00

• 配信元
• PR TIMES

r-GeO2半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功

• 発表会社
• Patentix株式会社

• 配信日時
• 2025-07-23 10:00:00

• 配信元
• PR TIMES

r-GeO2半導体のp型導電の可能性を示唆する電気特性を確認～複数の評価手法によるp型導電性実証計画を策定へ～

• 発表会社
• Patentix株式会社

• 配信日時
• 2025-07-19 12:10:02

• 配信元
• PR TIMES