[写真]産総研ら、SiC半導体の低抵抗を実現する構造を開発 EVの高効率化に期待

2018年12月5日 16:20

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2タイプのSiCトレンチゲート型SJ-MOSFET(写真:産業技術総合研究所の発表資料より)

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