ルネサスエレが続伸、米パワー半導体企業の買収など好感され出直り拡大

■重要な次世代素材であるGaN(窒化ガリウム)を自社技術に

　ルネサスエレクトロニクス<6723>(東証プライム)は1月12日、続伸基調で始まり、取引開始後は3%高の2479.5円(82.5円高)をつけて出直りを強めている。11日に米トランスフォーム社の買収とパワー半導体のポートフォリオ拡充を発表しており、このところの日米株式市場での半導体関連株高にも乗る形になっている。

　発表によると、買収する米トランスフォーム社(Transphorm,Inc.:米国カリフォルニア州ゴレタ)はGaN(窒化ガリウム)パワー半導体のグローバルリーダーで、このたび、子会社を通じてTransphorm社を現金によって買収する合併契約を締結した。本件買収により、ルネサスはパワー半導体に用いられる重要な次世代素材であるGaNを自社技術として獲得し、EV、コンピューティング(データセンター、AI、インフラ)、再生可能エネルギー、産業用電力変換、急速充電・アダプター等の成長著しい市場機会を捉られるようになる。(HC)(情報提供:日本インタビュ新聞社・Media-IR 株式投資情報編集部)

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