ダイヤモンド半導体、2030年ごろには実用化へ

2019年6月12日 20:54

記事提供元：スラド

　Anonymous Coward曰く、

　5月20日、産業技術総合研究除（産総研）が「薬品処理と低温加熱だけでダイヤモンド基板の原子レベルの接合を可能に」との発表を行った。ダイヤモンド基板をシリコン基板と直接接合する技術を開発したという内容で、これによって比較的低い温度での加熱処理でダイヤモンド基板を接合できるようになり、高品質なダイヤモンド半導体の製造が期待できるという（PC Watch、EE Times Japan）。

　人工ダイヤモンドを使ったダイヤモンド半導体は現在主流のシリコンを使った半導体と比べて特性に優れるものの、まだ実用化には至っていない。しかし、研究開発が進んだ結果実用化への道は見えつつあるそうだ（日経新聞）。

　ダイヤモンドは熱伝導性が高く、硬くて熱や電気にも強いという特性がある。そのため、たとえば電力制御系の半導体においてはシリコン製の半導体の約30分の1の薄さで同じ電圧に耐えられ、小型化できるという。また、1万アンペア以上の大電流を扱える半導体素子や、温度が上がるほど発光効率が高まるLEDなども期待されている。

　産業技術総合研究所によると、すでにダイヤモンド半導体の原理検証は終えており、2030年ごろには小さくて高性能で、宇宙などの過酷な環境でも使える「究極の半導体」が実現する可能性があるという。

　スラドのコメントを読む | ハードウェアセクション | テクノロジー | 電力

　関連ストーリー：
室温で緑色発光するp型/n型新半導体、新たな緑色光源への応用が期待される 2019年04月23日
ムーアの法則を延長する「空気チャンネルトランジスタ」または「金属空気トランジスタ」 2019年01月10日
GlobalFoundries、7nmプロセスを中止へ 2018年08月30日