キオクシア：第8世代BiCS FLASH™ TLCフラッシュメモリ技術を採用したエンタープライズ向けNVMe™ SSDを発表

CBA技術採用で性能と電力効率が向上

（東京）- （ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社（以下、キオクシア）は第8世代BiCS FLASH™ 3次元 TLCフラッシュメモリを搭載した初のエンタープライズSSD である、NVMe™エンタープライズSSD「KIOXIA CM9シリーズ」の試作品の参考展示を5月19日から22日までラスベガスで開催されるDell Technologies Worldで行います。

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エンタープライズSSD「KIOXIA CM9シリーズ」

KIOXIA CM9シリーズは、AI、機械学習、ハイパフォーマンスコンピューティングなどのワークロードへの対応を求められている次世代データセンター向けに開発され、先進的な CMOS directly Bonded to Array（CBA）技術を活用した第8世代 BiCS FLASH™ TLC フラッシュメモリ を採用しています。CBA技術は、メモリセルの制御を担うCMOS回路とメモリセルアレイを別々のウエハーで作り込み、メモリセルアレイ側のウエハーを反転させて2枚のウエハーを貼り合わせる技術で、フラッシュメモリの速度向上、高密度化、および消費電力の低減を実現し、SSDの性能向上に貢献します。

KIOXIA CM9シリーズは、前世代機のKIOXIA CM7 シリーズと比較して、ランダムライトで約65%、ランダムリードで約55%、シーケンシャルライトで約95%の性能向上を実現しました。さらに、消費電力1ワットあたりの性能向上も実現しており、シーケンシャルリードで約55%、シーケンシャルライトで約75%の効率改善を達成しています。

エンタープライズSSD「KIOXIA CM9シリーズ」の主な特長（暫定仕様であり、変更される場合があります）：

PCIe® 5.0、NVMe™ 2.0、NVMe-MI™ 1.2c、および OCP Datacenter NVMe™ SSD 2.5 準拠2.5インチおよびE3.S SSDフォームファクター、デュアルポート対応リードインテンシブ（1 DWPD）およびミックスユース（3 DWPD）の耐久性シーケンシャル性能（128 KiB/QD32） - リード14.8 GB/s、ライト11 GB/sランダム性能（4KiB） - 3,400 KIOPS（QD512）および800 KIOPS（QD32）2.5インチ容量は最大61.44 TB、E3.S容量は最大30.72 TB 

2.5インチはSSDのフォームファクターを示し、物理的なサイズではありません。記憶容量： 1 GB (1ギガバイト) ＝1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) ＝1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。1 KiB (kibibyte) = 1､024 bytes (2の10乗)Dell は、Dell Inc. またはその関連会社の商標です。NVMeおよびNVMe-MIは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。PCIeは、PCI-SIGの登録商標です。その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。問合せ先：
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