法政大学のプレスリリース

窒化ガリウム（GaN）を用いた二次元X線イメージングセンサーを開発― 次世代X 線イメージング用半導体としてのGaN の可能性を拓く ―

• 発表会社
• 法政大学

• 配信日時
• 2026-11-06 14:20:07

• カテゴリ
• 調査報告

• 業種
• 技術・テクノロジー

• 配信元
• Digital PR Platform