ルネサスエレが逆行高、東京電力HDのデータセンター事業参入観測を受け新GaNパワー半導体に期待強まる

■新たなプロセス「第4世代プラス」を用いた新GaNパワー半導体を提供開始

　ルネサスエレクトロニクス<6723>(東証プライム)は7月2日、次第に上げ幅を広げる相場となり、午前11時にかけては半導体関連株が総じて反落模様の中で5%高の1851.5円(79.5円高)前後で売買され、出直りを強めている。「GaNパワー半導体の新製品を、AIサーバ、産業機器、充電システムなどに向けて提供開始」とのリリースを1日に発表しており、「東京電力がデータセンター事業参入へ…『新しい本業』位置付け、新たな収益の柱に」(読売新聞オンライン7月1日朝)と伝えられたことと合わせて期待材料視されている。

　発表によると、このAIサーバーなど用の新製品は、オン抵抗と出力容量の積に基づく性能指数(FOM)の20%低減などが実現できる新たなプロセス「第4世代プラス(Gen　Ⅳ　Plus)」を採用して電力効率を向上させた。このたび量産を開始した。また、東京電力ホールディングス<9501>(東証プライム)は、策定中の再建計画・総合特別事業計画の中でデータセンター(DC)事業を「新しい本業」と位置付ける方針で、2027年度にもDC事業に本格参入する見通しと伝えられた。(HC)(情報提供:日本インタビュ新聞社・株式投資情報編集部)

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