シリコン上回る半導体特性を持つ「立方晶ヒ化ホウ素」　米MITらの研究

半導体材料として立方晶ヒ化ホウ素（c-BAs）がシリコンを上回る特性があるとの研究を米マサチューセッツ工科大学（MIT）や米ヒューストン大学などの研究チームが発表した。立方晶ヒ化ホウ素は、電子だけでなくホール（正孔）の移動度もシリコン並に高く、熱伝導性に関しても、ダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素に次ぐレベルで半導体材料のトップに位置付けられるほど高いという。一方で立方晶ヒ化ホウ素は合成が難しいことから、低コストで製造する技術の確立が求められるとしている（ニュースイッチ）。　

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