「半導体・オブ・ザ・イヤー2026」半導体用電子材料部門でグランプリを受賞

回路線幅10nmのナノインプリント用テンプレートが次世代半導体向け技術として高い評価を獲得



大日本印刷株式会社（DNP）は、産業タイムズ社主催の「半導体・オブ・ザ・イヤー2026」の半導体用電子材料部門で、昨年12月に発表した先端半導体製造向け「回路線幅10nmのナノインプリントリソグラフィ（Nano-Imprint Lithography：NIL）用テンプレート＊1」が高く評価され、2026年5月21日に同部門のグランプリを受賞しました。なお、授賞式は6月10日に開催されました。
本年で32回目となる本賞は、半導体業界の発展に貢献した優れた技術・製品・企業を表彰する業界アワードです。半導体の微細化ニーズに対応する高精度なパターン形成技術や、次世代半導体製造への適用可能性など、その将来性が高く評価され、今回の受賞につながりました。
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「半導体・オブ・ザ・イヤー2026」授賞式とプレゼンテーションの様子

【「半導体・オブ・ザ・イヤー2026」について】
本賞は、2025年4月から2026年3月までに発表された半導体関連の優れた製品・技術を表彰するものです。選考対象には、新製品に加え、既存製品の性能向上や機能拡張を実現した改良技術も含まれます。候補案件は、「電子デバイス産業新聞」で紹介された製品・技術、同紙記者による推薦案件、および企業からの応募案件から選定されます。
「半導体デバイス」「半導体製造装置」「半導体用電子材料」の3部門で構成され、開発の独創性、量産性、社会的インパクト、将来性などの観点から、同紙記者による厳正な投票を経て決定されます。
Webサイト→　https://www.sangyo-times.jp/seminarDtl.aspx?ID=649

【DNPが開発した回路線幅10nmのNILテンプレートについて】
- 描画装置によりマスク基板上に形成したパターンに対し、成膜・エッチング工程を組み合わせることでパターンの密度を2倍にするダブルパターニング（Self-Aligned Double Patterning：SADP）を活用し、NILテンプレートの微細化を実現しました。これまで培ってきたフォトマスク製造の技術やノウハウに加えて、ウエハープロセスの製造技術を応用することで、1.4ナノメートル世代相当のロジック半導体に対応します。
- 先端半導体製造の露光工程の効率化と消費電力の削減に貢献します。NILを用いた本技術では、従来のArF液浸リソグラフィやEUVリソグラフィなどの露光工程と比較して、消費電力を約10分の1に抑えることができます。＊2

【今後の展開】
DNPは半導体メーカー等の顧客との対話を深めながら、半導体の微細化ニーズを先取りし、NIL用テンプレートの評価を進めて量産開始を目指しています。
今後も、NIL用テンプレートをはじめとする半導体関連製品・技術の開発を強化し、次世代情報社会を支える半導体分野の発展に貢献していきます。

＊1　ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、テンプレートに形成した微細パターンを樹脂に転写して回路を形成する技術。本テンプレートは、半導体回路パターンを転写するための型として使用される。→https://www.dnp.co.jp/news/detail/20177717_1587.html

＊2　NILによる超微細半導体の省エネルギー加工技術 → https://www.dnp.co.jp/news/detail/10162455_1587.html

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