イーディーピー、2インチウエハ用モザイク結晶の開発に成功、ダイヤモンド半導体材料の量産化へ前進

■単結晶4個を接続、2インチウエハ製作へイオン注入複製技術を活用

　イーディーピー<7794>(東証グロース)は5月27日、半導体デバイス製造に必要な2インチ(直径50mm)ウエハを製作するためのモザイク結晶の開発に成功したと発表した。開発した結晶は53×53×1.2mmで、25×25mm以上の単結晶4個を接続し、片面をRa≒5nmまで研磨した。

　同社は、ダイヤモンドを半導体として利用した場合の低損失などの特性に着目し、ウエハの製品化を進めてきた。大型単結晶の製作が難しいため、単結晶を横方向に接続するモザイク結晶で大型ウエハ化を目指していたが、結晶粒界付近の応力による割れや亀裂、研磨工程の課題があった。今回、これらの問題を克服した。

　今後は、同社が保有するイオン注入を用いた複製技術を活用し、2インチウエハ用の子結晶を製作する。その後、レーザーで直径50mmに切断し、2インチウエハに仕上げる計画である。準備が順調に進めば、2027年3月期下期には量産体制を整える方針だ。

　また同社は同日、竹内工業と槌屋を割当予定先とする新株式、岡三証券を割当予定先とする第18回新株予約権の第三者割当を決議した。調達資金はダイヤモンドウエハ開発やラボグローンダイヤモンド原石増産、宝石販売体制の確立などに充てる。本開発結果の2027年3月期業績への影響は、5月13日に開示した業績予想に織り込んでいる。(情報提供:日本インタビュ新聞社・株式投資情報編集部)

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