GTアドバンスト・テクノロジーズ、低コストのGaNテンプレート基板生産のための高生産性水素化物気相エピタキシー（HVPE）システムの開発・商用化を目指した開発・ライセンス契約をソイテックと締結

HVPEシステムがLEDの生産コストを低減させ、商業施設・住宅照明での導入を加速すると期待

（米ニューハンプシャー州ナシュア、仏ベルナン）- （ビジネスワイヤ）-- GTアドバンスト・テクノロジーズ（NASDAQ: GTAT）とソイテック（NYSE Euronext: SOI）は本日、GTがLEDやその他（電力エレクトロニクスなど）の成長業界で使用される基板に高品質のGaNエピ層を生成する大容量のマルチウエハーHVPEシステムを開発・製造・商業化するための開発契約とライセンス契約について発表しました。HVPEによって可能になる成長速度と材料特性の向上によって、従来のMOCVDプロセスに比較してプロセスコストが大幅に削減されるとともに機器性能が向上することが期待されます。契約に定められた初回の前払いライセンス料の支払いは既に進行中ですが、その他の詳細条件は開示されていません。

GTは、ソイテック・フェニックス・ラブズ（ソイテックの子会社）が専有権を持つ独自のHVPE技術（HVPE反応炉に供給される前駆物質のコストを低減させると期待される画期的・先進的な原料供給システムを含む）を組み込んだHVPEシステムを開発・製造・商用化する予定です。HVPEシステムによってGaNテンプレート・サファイア基板の大規模な生産が可能になります。HVPEシステムの販売開始予定時期は2014年下半期となる見込みです。

ソイテック・フェニックス・ラブズの副社長兼ゼネラルマネジャーのシャンタール・アリーナは、次のように述べています。「当社では6年以上前からGaNエピプロセスの開発に取り組み、サファイア基板に高品質で低コストのGaN層を生成する上で非常に重要となるこの画期的なHVPE技術を生み出しました。本日発表するGTとの開発・ライセンス契約は、この作業の成果の最終的成果であり、昨年発表したHVPEベースの技術を四連光電科技有限公司のサファイアに組み込む契約が元になっています。今回の契約により、ソイテックは材料や装置を含むさまざまな技術・業界パートナーに対するLED照明の提案を設計することができます。エピタキシー技術とGaN材料に関するソイテック・フェニックス・ラブズの豊富なノウハウは、GTが革新的なHVPEシステムを市場に投入することを可能にする主要な要因となるでしょう。」

GTのトム・グティエレス社長兼最高経営責任者（CEO）は次のように述べています。「GTには、太陽光PVやLEDといった業界を変革する革新的な装置の提供を実現させてきた実績があります。ソイテックとの間で契約を締結するという今回の決定は、当社の活動範囲を広げて競争に勝つソリューションを市場に投入するための新しい高価値技術への多角化を進めるにあたり、当社の装置事業を補完する適切な技術を持った適切なパートナーを徹底して探し求めた結果です。ソイテック・フェニックス・ラブズからは、GaNプロセスのノウハウに関する高水準の専門知識と技術経験の提供を受けます。新しいHVPEシステムが発売された際には、HVPEシステムがLED機器のコストをより一層削減し、業界がより高水準の競争力と成長に向けて飛躍することを後押しする主要な要因となると確信しています。」

ソイテックについて

ソイテックは、エネルギーとエレクトロニクスの課題という特に成長が期待される新しい領域において、革新的な半導体材料の生成と製造を手がける国際的な世界有数の製造企業です。ソイテックの製品には、マイクロエレクトロニクス向け基板（特にSOI：シリコン・オン・インシュレーター）、集光型太陽光システム（CPV）などがあり、当社の中核をなす技術は、スマートカット（Smart Cut™）、スマート・スタッキング（Smart Stacking™）、コンセントリックス（Concentrix™）、およびエピタキシーに関する専門技術です。技術の応用例としては、コンシューマーおよびモバイルエレクトロニクス、マイクロエレクトロニクスを中心としたIT、電気通信、自動車エレクトロニクス、照明製品、大規模太陽光発電所などがあります。ソイテックはフランス、シンガポール、ドイツ、および米国に製造工場と研究開発センターを有しています。詳細については、www.soitec.comをご覧ください。

GTアドバンスト・テクノロジーズについて

GTアドバンスト・テクノロジーズは、世界のソーラー・LED・エレクトロニクス業界に革新的な結晶成長装置およびソリューションを提供する総合技術企業です。当社の製品は、性能を向上させ製造コストを低減させる先進的な新材料の採用を加速させます。GTアドバンスト・テクノロジーズの詳細情報については、www.gtat.comをご覧ください。

将来見通しに関する記述

本プレスリリースの一定の情報は、1995年民事証券訴訟改革法のセーフハーバー条項の目的における「将来見通しに関する記述」を構成するものとして、当社事業および業界の将来的な予想・計画・見通しに関連しています。これらの将来見通しに関する記述には、当社がHVPEシステムの開発および提供を実現できること、LED基板製造コストを低減させるというHVPEシステムの予想される性能を達成できること、当社とソイテック・ラブズが開発・ライセンス契約の締結を実現できること、および当社がサファイア材料の従来市場以外の新規市場セグメントへの販売を実現できること、HVPEシステムが商業施設・住宅照明におけるLEDの導入を促進すること、HVPEによって成長速度と材料特性の向上が可能になるとともに従来のMOCVDプロセスに比較してプロセスコストが大幅に削減され機器性能が向上すること、HVPEシステムによってGaNテンプレート・サファイア基板の大規模な生産が可能になること、HVPEシステムの販売開始予定時期が2014年下半期となる見込みであること、HVPEシステムがLED機器のコストをより一層削減し、業界がより高水準の競争力と成長に向けて飛躍することを後押しする主要な要素となることが含まれますが、これらに限定されません。これらの将来見通しに関する記述は、業績を保証するものではなく、多くの不確実性やその他の要因の影響が伴い、そのほとんどは当社の管理が及ばず、それらの不確実性や要因によって実際の出来事が将来見通しに関する記述で表現または示唆されたものと著しく異なる場合があります。実際の出来事が、将来見通しに関する記述によって表現または示唆されたものと著しく異なる場合に原因となり得るその他の要因には、継続的な需要減少による影響もしくは市場の余剰生産力が当社のソーラー装置・サファイア装置の生産に与える影響あるいは両者の影響、一般的な経済環境と金融市場の縮小が当社製品の需要に悪影響を及ぼす可能性、政府によるインセンティブの変化がソーラー製品の需要を減少させる可能性、ひいては当社装置に対する需要が減少する可能性、技術的変化が既存の製品や技術を旧式にしてしまう可能性、当社が知的財産権を保護できない可能性、他の製造業者との競争が激化する可能性、為替レートの変動・金融市場の状況・景況によって当社製品に対する需要が減少する可能性や、2012年9月29日締め四半期のフォーム10-Qで提出した四半期報告書の「リスク要因」のセクションの記述など、GTアドバンスト・テクノロジーズが証券取引委員会に提出した書類に概説されているさまざまなその他のリスクが含まれます。本プレスリリースに含まれる記述は、これらの重要な要素を踏まえて評価する必要があります。本プレスリリースに含まれる記述は、本プレスリリースの日付時点におけるGTアドバンスト・テクノロジーズの予想または見解に基づいたものです。GTアドバンスト・テクノロジーズは将来における事象や展開が原因で、これらの予想および見解が変わる可能性があると予測しています。GTアドバンスト・テクノロジーズは、新たな情報、将来の出来事、あるいはその他の理由の結果として将来見通しに関する記述を更新・変更する義務を負わず、また一切の義務を明示的に否定します。

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