関連記事
米IBM、世界初の2nm製造プロセス用いた半導体製造技術を発表
2021年5月12日 17:51
記事提供元：スラド
米IBMは5月6日、世界で初めて300mmウェーハ上において2nmプロセスチップを生み出したと発表した。同社のナノシート技術を使用することにより、ブレークスルーを達成したという。現時点の最先端プロセスとなる7nmノードチップと比較しても、約45％の性能向上、あるいは同じ性能レベルでの約75％の電力削減を達成可能になるとしている。スマートフォンのバッテリー寿命の延長やデータセンターの二酸化炭素排出量を削減などにつながる可能性があるとしている（IBMリリース、公式動画、ZDnet、PC Watch）。
スラドのコメントを読む | ハードウェアセクション | テクノロジー | ハードウェア | ニュース | IBM
関連ストーリー：
TSMC、半導体製造の契約期間を最長５年に。長期契約優先 2021年04月30日
Intelがファウンドリー事業に参入へ。新工場を建設しTSMCと競合する方針示す 2021年03月24日
水不足の台湾、TSMCらファウンドリーも水の確保に走る事態に 2021年02月26日
※この記事はスラドから提供を受けて配信しています。
スポンサードリンク
