Patentix株式会社のプレスリリース(ページ 2)

ルチル型二酸化ゲルマニウムのバルク結晶の合成に成功
  • 配信日時
  • 2025-06-30 14:00:05
世界初 ルチル型GeO2結晶によるショットキーバリアダイオード動作を確認
  • 配信日時
  • 2024-11-27 10:00:00
“世界初”ルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜にてN型導電性を確認
  • 配信日時
  • 2024-09-26 11:00:00
PATENTIX、二酸化ゲルマニウム(GeO2)の有償サンプル出荷に向け、クオルテックが出荷検査を行うことに両社基本合意を締結
  • 配信日時
  • 2024-08-09 15:00:00
  • 配信日時
  • 2024-06-28 13:00:00
日清紡マイクロデバイス株式会社、琵琶湖半導体構想(案)に参画
  • 配信日時
  • 2024-03-25 10:00:00
株式会社アイシン、琵琶湖半導体構想(案)に参画
  • 配信日時
  • 2024-02-15 10:00:00
Patentix株式会社×株式会社クオルテック資本業務提携を締結、調印式を実施
  • 配信日時
  • 2023-12-27 15:00:00
【世界初】Phantom SVD(ファントム局所的気相成長)法で4インチウエハ上への二酸化ゲルマニウム(GeO2)製膜に成功
  • 配信日時
  • 2023-11-16 10:00:00
Patentix株式会社が「U-START UP KANSAI オープンピッチ」でNEDO賞を受賞
  • 配信日時
  • 2023-09-27 08:50:00
【世界初】PhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法でSiCへのルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)製膜に成功
  • 配信日時
  • 2023-09-20 21:00:00
  • 配信日時
  • 2023-08-31 10:45:15

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