東芝:車載機器の低消費電力化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETについて
配信日時: 2020-02-25 14:00:00
~最新世代プロセスを採用した「U-MOS X-Hシリーズ」発売~
(東京)-(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、48V系車載機器のロードスイッチ、スイッチング電源、モーター駆動などに適した100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売しました。1月から量産・出荷を開始しています。
本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:https://www.businesswire.com/news/home/20200224005993/ja/
東芝:車載機器向け 100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」(写真:ビジネスワイヤ)
新製品は、当社の最新世代プロセス[注1]を採用したトレンチ構造MOSFETの新シリーズ「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ) シリーズ」初の製品です。低抵抗パッケージのTO-220SM(W)に搭載することにより業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現しました。最大オン抵抗を1.92mΩに抑え、従来製品「TK160F10N1L」と比べて約20%低減しました。これにより機器の低消費電力化に貢献します。さらに、MOS構造の最適化によりスイッチングノイズが少なく、機器のEMI[注3]の低減に貢献できます。また、しきい値電圧幅を1Vに抑え、並列使用時のスイッチング同期性を高めています。
応用機器
車載機器 (ロードスイッチ、スイッチング電源、モータードライブなど)
新製品の主な特長
・当社の最新世代プロセス[注1] を採用したトレンチ構造MOSFETの新シリーズ「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ) シリーズ」
・業界トップクラス[注2]の低オン抵抗
RDS(ON)=1.92mΩ (max) @VGS=10V
・AEC-Q101適合
新製品の主な仕様
(@Ta=25°C)
品番
極性
絶対最大定格
ドレイン・ソース間
オン抵抗
RDS(ON) max
(mΩ)
チャネル・
ケース間
過渡熱
インピーダンス
Zth(ch-c)
max
(℃/W)
パッケージ
シリーズ
ドレイン・
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
ドレイン
電流
(パルス)
IDP
(A)
チャネル
温度
Tch
(℃)
@VGS
=6V
@VGS
=10V
XK1R9F10QB
Nチャネル
100
160
480
175
3.31
1.92
0.4
TO-220SM(W)
U-MOS X-H
[注1] 2020年2月25日時点
[注2] 同耐圧の製品、同一パッケージクラスにおいて。当社調べ (2020年2⽉25日時点) によるものです。
[注3] EMI (Electro Magnetic Interference): 電磁妨害
新製品の詳細については、下記ページをご覧ください。
XK1R9F10QB
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/detail.XK1R9F10QB.html
当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/automotive/automotive-mosfet.html
*社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html
*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
businesswire.comでソースバージョンを見る:https://www.businesswire.com/news/home/20200224005993/ja/
連絡先
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
プレスリリース情報提供元:ビジネスワイヤ
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