TDK子会社のTDKラムダが、トランスフォームのGaNを使ってAC-DC電源のPFHシリーズを強化

さまざまな産業用途向けの新しいAC-DC電源モジュールが、高効率、高性能、小型化という高電圧GaNの恩恵を実現

（米カリフォルニア州ゴリータ）- （ビジネスワイヤ） -- 最高の信頼性を持つ唯一の認定済み高電圧（HV）窒化ガリウム（GaN）半導体の設計・製造をリードするトランスフォームは本日、TDKグループ企業で大手電源メーカーのTDKラムダが、同社初のGaNベースのAC-DC電源をリリースしたことを発表しました。504W定格のフル機能PFH500F-28は、同社の最新世代ベースプレート冷却方式AC-DC電源モジュールです。さらに、この電源モジュールは、HV GaNの優位性を実証したトランスフォームのお客さまによる最新製品となり、従来のPFE500Fシリーズよりパッケージを28パーセント小型化しつつ、効率を5パーセント改善しています。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。：https://www.businesswire.com/news/home/20190117005516/ja/

TDK-Lambda's PFH500F-28 AC-DC power supply module uses Transphorm's GaN modules for a 30% power density increase. (Graphic: Business Wire)

広範な産業応用を促進

PFH500F-28は出力28ボルトの薄型電源モジュールで、さまざまな過酷な環境での用途、市販（COTS）電源、カスタムファンレス電源、交通信号などのために設計されています。TDKラムダが再設計した標準電源モジュールは、トーテムポール型ブリッジレス力率補正トポロジを使って、トランスフォームのTPH3206LDG FETを人気の高い8x8 PQFNパッケージで最適化しました。

開発プロジェクトは、テキサス州ダラスのTDKラムダ・アメリカズが主導し、3年間にわたる取り組みのさまざまな開発フェーズを通じて、トランスフォームの応用サポートチームの協力を得ました。

TDKラムダのエンジニアリング担当バイスプレジデントのJin Heは、次のように述べています。「新しい標準PFHシリーズを導入でき、うれしく思います。当社のエンジニアは、当社が発売するすべての新製品が信頼性に優れていて旧モデルから大きく進歩していることを保証できるように、当社の最終顧客に恩恵をもたらす新技術を丹念に見直します。当社が、最初の窒化ガリウムAC-DCの開発で、トランスフォームと取り組むことにしたのは、パワー半導体の実証済みの品質と信頼性に加え、同社チームが協業を成功させてきたことで定評があったためです。当社の経験もまさにその通りだったため、PFH500F-28を3年間の保証と共にリリースしたほか、現在トランスフォームと将来のプロジェクトについて話し合っています。」

トランスフォームのGaNはこれまで、顧客によるコンピュータ電源、サーボモーター、電気通信向け電源の開発を可能にし、電力密度、サイズ、システムコストにおいて顕著な優位性を発揮してきました。そうした製品に加わるTDKラムダの電力モジュールPFH500F-28は、シリコンベースの従来品と比べて、以下のような利点を提供します。

電力効率：最大92パーセント、PFE500Fと比べて5パーセント増加 電力密度：1立方インチ当たり100W、PFE500Fと比べて30パーセント増加 PMBus™による監視とプログラミング（読み／書き） 小型化：122x70x12.7mmから101.6x61x13.5mmへ、28パーセント縮小 外付けキャパシタ部品のサイズ縮小 熱インパクト：廃熱を38パーセント削減し、PFE500Fと比べてヒートシンクと冷却の必要性を低減 TDKラムダについて

TDK株式会社のグループ企業のTDKラムダは、世界的な電源のリーディングカンパニーとして、産業機器向けの信頼性に優れた電源をグローバルに提供しています。TDKラムダ株式会社は、主要エリアである日本、欧州、アメリカ、中国、アジアに拠点を置き、研究開発から製造、販売、保守サービスまで、当社の広範な事業を通じて、顧客のさまざまなニーズに対応しています。詳細はhttps://www.tdk-lambda.com/en/をご覧ください。

GaN革命へようこそ！

トランスフォームは高電圧電力変換用途向けに、最高の性能と信頼性を備えたGaN半導体の設計および製造を行っています。最大規模のGaN IPポートフォリオ（600件以上の特許）を持つトランスフォームは、業界で唯一のJEDECおよびAEC-Q101準拠GaN FETを生産しています。これは、設計、製造、デバイス、応用サポートにわたるあらゆる開発段階でイノベーションを可能にする垂直統合ビジネスアプローチによって実現しています。トランスフォーム：パワーエレクトロニクスでシリコンの限界を超える。ウェブサイト：transphormusa.com、ツイッター：@transphormusa

本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。



businesswire.comでソースバージョンを見る：https://www.businesswire.com/news/home/20190117005516/ja/

連絡先
Heather Ailara
211 Communications
heather@211comms.com
P: +1.973.567.6040

プレスリリース情報提供元：ビジネスワイヤ