東芝メモリ株式会社：96層3次元フラッシュメモリを搭載した1TB[注1] Single Package PCIe® Gen3 x4レーンSSDの出荷について

東芝メモリ株式会社：96層3次元フラッシュメモリを搭載した1TB[注1] Single Package PCIe® Gen3 x4レーンSSDの出荷について

（東京）- （ビジネスワイヤ） -- 東芝メモリ株式会社は、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」と新規開発のコントローラーをsingle packageに納め、業界最速クラスのリード性能^[注2]を実現した最大容量1,024GB^[注3]のNVMe^TM SSD「BG4シリーズ」を開発しました。本日から一部のPC OEM向けにサンプル出荷を開始し、2019年第2四半期（4月～6月）以降、順次出荷を拡大していく予定です。

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東芝メモリ株式会社：96層3次元フラッシュメモリを搭載した1TB Single Package PCIe(R) Gen3 x4レーンSSD （写真：ビジネスワイヤ）

新製品はPCIe^® Gen3 x4レーンに対応し、シーケンシャルリード性能は最大2,250MB/s^[注4]を実現します。またフラッシュメモリ管理技術の改良で、ランダムリード性能は業界最速^[注5]となる最大380,000 IOPS^[注4]を実現します。高いリード性能を持ったsingle package SSDとして、超薄型モバイルPCやIoTの組み込み系システム、サーバーやデーターセンターのブート用途など、小型で高速処理が求められる用途への適用が可能です。

「BG4シリーズ」は当社前世代品「BG3シリーズ」に比べてリード性能に加え、ライト性能や消費電力効率の改善も行っています。最新の「BiCS FLASH™」と新たに開発したコントローラーの採用で、シーケンシャルとランダムのライト性能は前世代品に比べてそれぞれ約70％^[注6]と約90％^[注6]改善し、消費電力効率はリードで最大約20％^[注7]、ライトで最大約7％^[注7]改善しました。

新製品は128 GB、256 GB、512 GB、1,024GBの四つの容量でラインアップし、512GBまでの容量の厚さは1.3mm^[注8] 、フォームファクタはそれぞれ面実装タイプのM.2 1620 (16 x 20mm) と、抜き差し可能なモジュールタイプのM.2 2230 (22 x 30 mm) を展開します。大容量で消費電力効率を改善したSSDを薄型・小型パッケージで実現することにより、モバイルPCなどの薄型でフレキシブルなデザインの可能性を広げます。

また新製品はNVM Express™ (NVMe™) Revision 1.3bに対応し、オプションとしてTCG Opal Version 2.0.1の自己暗号化機能に対応した機種^[注9]も用意します。

なお、「BG4シリーズ」は米国ラスベガスで「CES^® 2019」開催期間の1月11日まで、Toshiba Memory AmericaのVenetian^® Resortでのプライベートブースで展示とデモを行います。

＊PCIeは、PCI-SIGの登録商標です。
＊NVM Express、NVMeはNVM Express, Inc.の商標です。
＊その他、本文に掲載の製品名やサービス名は、それぞれ各社が登録商標または商標として使用している場合があります。

[注1] 実際の記憶容量は1,024GBです。記憶容量の表記について、[注3]をご参考ください。
[注2] 2019年1月9日現在、single package SSDとして、東芝メモリ株式会社調べ。
[注3] 記憶容量：1GB(1ギガバイト）＝1,000,000,000（10の9乗）バイト、1TB(1テラバイト）＝1,000,000,000,000（10の12乗）バイトによる算出値です。1GB=1,073,741,824(2の30乗）バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
[注4] 記録容量1,024 GBのモデルに対して、シーケンシャルリードは128 KiB単位で、ランダムリードは4KiB単位で、当社の試験環境において実施した際の性能です。該当性能はリファレンス・データとして製品仕様書に記載する性能と異なる可能性があります。
[注5] 2019年1月9日現在、single package SSDとして、東芝メモリ株式会社調べ。
[注6] BG4シリーズとBG3シリーズのベスト性能を有するBG4の1,024GBモデルとBG3の512GBモデルに対して、当社の試験環境において実施した際の「性能」の比較結果です。
[注7] BG4のPCIe^Ⓡ Gen3 x4レーンとBG3のPCIe^Ⓡ Gen3 x2レーンのモデルに対して、当社の試験環境において実施した際の「電力性能比」の比較結果です。
[注8] single packageの場合で128GB、256GB、512GBのモデルの厚さは1.3mm、最大容量の1,024GBのモデルの厚さは1.5 mmです。
[注9] 自己暗号化機能付きモデルのラインアップは、地域によって異なります。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
販売推進統括部
Tel： 03-6478-2424
https://business.toshiba-memory.com/ja-jp/contact.html

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東芝メモリ株式会社
営業企画部
高畑浩二
Tel: 03-6478-2404

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