トランスフォームのGaNパワーデバイスの出荷数が25万個を超え、量産向けの拡張可能性を再確認

大台達成は高電圧窒化ガリウム半導体の導入加速を示し、業界の大手リーダーによる市場参入表明がこの動向を浮き彫りに

（米カリフォルニア州ゴリータ）- （ビジネスワイヤ）-- JEDECおよびAEC-Q101に初めて準拠した最高の信頼性の650 V窒化ガリウム（GaN）半導体の設計・製造でリードするトランスフォームは、高電圧GaN FETの出荷数が25万個を超えたことを明らかにしました。顧客の量産アプリケーションで使用されている本デバイスは、日本の会津にあるウエハー工場で当社が製造しています。

またトランスフォームは、当社のウエハー工場がその定評のある50mohm製品のインストールベースで年間1500万個相当を生産していますが、容易に規模を拡張して、2倍もしくは5倍量の需要に対応できると述べました。さらに需要の裏付けがあれば、技術と製造プロセスを現行の6インチから、8インチ、可能性としてそれ以上の大型ウエハー向けに組み立てることも可能です。

トランスフォームの共同設立者で最高執行責任者（COO）のプリミット・パリクは、次のように述べています。「2018年は、高電圧GaNにとって形勢を一変させる1年となりました。トランスフォームの650 V GaN FETが25万個以上、顧客の高性能電力コンバーターやインバーターの製品の量産で導入されています。これらの製品は、アマゾンなどさまざまなチャネルを通じて入手できます。当社の現時点までの生産量を基に控えめに見積もった場合、現場での実稼働時間は13億時間以上、現場でのFITは一桁台前半です。さらに、稼働条件および迅速試験条件での信頼性試験を広範に実施したところ、稼働条件下のMTBFが10億時間を超えました。」

トランスフォームは、出荷デバイスの実環境における故障データを最初に公表した高電圧GaN FETサプライヤーです。このデータを使用して、技術の信頼性を表す実環境の100万分率（ppm）での故障率と、故障発生率（FIT）を算出しています。現場データの提供は、成熟した技術であることを示すため、電力システムの高電圧GaNにとって、重要な新段階となります。

その通りに、予想される市場の軌道は良好です。市場調査／戦略コンサルティング会社のヨール・デベロップメント（ヨール）は、パワーGaN市場が強気のケースで、91パーセントのCAGRにより2023年までに4億800万ドル規模になると報告しています¹。そうした成長を後押しする高電圧アプリケーションには、高速充電器、データセンター、その他のハイエンド電源などがあります。

上記の調査結果を裏付けるように、トランスフォームの製品を使って生産中の顧客は、ヨールが言及した成長分野その他にまたがっており、これらの分野にはPCゲーム用電源（コルセア）、サーバー用電源（ベル・パワー、デルタ）、サーボドライブ（安川電機）、ポータブル電源（Inergy/Telcodium）が含まれます。さらに2018年はGaNの商用化で大きく前進したことが注目され、ネクスペリアは600V+のGaN FETをリリースする計画であり、インフィニオンは600Vの製品ポートフォリオを発表しました。

トランスフォームのマリオ・リーバス最高経営責任者（CEO）は、次のように述べています。「どのような新しい技術も、市場の受容度を示す重要な指標は、主要市場分野の大手顧客による導入と、その後に続く増産に対応可能な複数の有力サプライヤーの登場です。トランスフォームは当社がお客さまと協力して達成できたことを大変うれしく思っており、ネクスペリアやインフィニオンのような高電圧パワー半導体のリーダー企業がGaN革命に加わったことに一層の期待を感じています。お客さまは、サプライヤーに対する信頼がさらに高まったことで、エネルギーを節約できるGaNの恩恵を受けることができるようになりました。」

初期故障を評価するトランスフォームの手法の全体について、「High Voltage GaN Switch Reliability」（高電圧GaNスイッチの信頼性）のペーパーで詳述しています。GaNの製品ポートフォリオはhttps://www.transphormusa.com/en/products/で確認いただけます。

トランスフォームについて

トランスフォームは、シリコンの限界を超えたパワーエレクトロニクスに原動力を与えています。当社は高電圧電力変換用途向けに最高の性能と信頼性を備えたGaN半導体の設計・製造・販売を行っています。最大レベルのパワーGaN IPポートフォリオ（交付済みまたは係属の特許は世界で1000超）を持つトランスフォームは、業界で唯一のJEDECおよびAEC-Q101に準拠したGaN FETを生産しています。これは、材料およびデバイスの設計・製作から製造、パッケージング、基準回路設計、適用サポートに至るまであらゆる段階でイノベーションを可能にする垂直統合ビジネスアプローチによるものです。ウェブサイト：transphormusa.com ツイッター：@transphormusa

¹ パワーGaN 2018：エピタキシー法、デバイス、アプリケーション、技術動向に関する報告書、ヨール・デベロップメント、2018年（Power GaN 2018: Epitaxy, Devices, Applications and Technology Trends report, Yole Développement, 2018）

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