東芝:車載用40V耐圧 NチャネルパワーMOSFETの新パッケージ製品追加について

プレスリリース発表元企業:Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

配信日時: 2018-04-11 18:10:00

東芝:車載用40V耐圧 NチャネルパワーMOSFETの新パッケージ製品追加について

~低抵抗・小型パッケージ採用により、さらなる低オン抵抗を実現

(東京)- (ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの新製品として、低抵抗・小型パッケージのSOP Advance(WF)を採用した「TPHR7904PB」および「TPH1R104PB」をラインアップに追加しました。本日から量産を開始します。

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東芝:低抵抗・小型パッケージのSOP Advance(WF)を採用した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET新製品「TPHR7904PB」および「TPH1R104PB」(写真:ビジネスワイヤ) 東芝:低抵抗・小型パッケージのSOP Advance(WF)を採用した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET新製品「TPHR7904PB」および「TPH1R104PB」(写真:ビジネスワイヤ)

新製品は、当社最新のトレンチMOS第9世代「U-MOS Ⅸ-H(ユー・モス・ナイン・エイチ)シリーズ」のMOSFETチップを、低抵抗・小型パッケージへ搭載することにより、低オン抵抗特性を実現しました。これにより、導通損失を低減することが可能です。また、U-MOS Ⅸ-Hデザインは当社従来デザイン(U-MOSⅣ)に比べスイッチングノイズが少なく、電磁妨害(EMI)の低減が期待できます。

パッケージは基板実装状態の自動外観検査(Automated Optical Inspection;AOI)が可能な端子構造(ウェッタブルフランク構造)を採用した SOP Advance(WF)です。

応用機器

電動パワーステアリング(EPS) ロードスイッチ 電動ポンプ 新製品の主な特長

U-MOS Ⅸ-HプロセスとSOP Advance(WF)パッケージによりRDS(ON)max = 0.79mΩを実現 低ノイズ特性により電磁妨害(EMI)を低減 低抵抗・小型パッケージにウェッタブルフランク構造を追加   新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

 

品番

  ドレイン・ソース間
電圧
VDSS
(V)

  ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)

  ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(ON) max.(mΩ)

  ゲート・ソース間


ツェナー
ダイオードの有無

  シリーズ @VGS=6V   @VGS= @10V TPH1R104PB 40 120 1.96 1.14 No U-MOS Ⅸ TPHR7904PB     150   1.3   0.79   No

  U-MOS Ⅸ   当社MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet.html

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Tel: 03-3457-3933
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e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

プレスリリース情報提供元:ビジネスワイヤ