東芝：LEDヘッドライト駆動用に適した小型高ESD耐量MOSFETの発売について

東芝：LEDヘッドライト駆動用に適した小型高ESD耐量MOSFETの発売について

（東京）- （ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、LEDヘッドライト駆動用などに適した、1パッケージに2回路搭載でESD耐量に優れたMOSFET「SSM6N813R」を製品化し、4月に量産を開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。：https://www.businesswire.com/news/home/20180326005361/ja/

東芝：LEDヘッドライト駆動用などに適した、1パッケージに２回路搭載でESD耐量に優れたMOSFET「SSM6N813R」（写真：ビジネスワイヤ）

新製品は、耐圧(VDSS)100Vまで対応しており、車載ヘッドライト用としてLEDが複数個使用される回路に適しています。最先端の微細プロセスチップをTSOP6Fパッケージに搭載したことにより、高許容損失(1.5W)、低Ronの製品が実現できました。また、TSOP6F パッケージはSOP8パッケージと比較して実装面積を70%削減することが可能です。

高ESD耐量特性により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。特に、高耐圧と実装面積の低減が求められるLEDヘッドライト駆動回路の使用に適しています。

応用機器

車載向け LEDヘッドライト駆動用 新製品の主な特長

小型パッケージ製品 高ESD耐量品 低Ron   新製品の主な仕様

 (@Ta=25℃)

項目
(Ta=25℃)

  SSM6N813R 絶対最大定格   ドレイン・ソース間電圧
VDSS (V)

100 ゲート・ソース間電圧
VGSS (V)

+/-20

ドレイン電流
ID (A)

3.5 電気的特性 ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON) max
(mΩ)

  VGS=10V

112 VGS=4.5V

154 入力容量
Ciss typ. (pF)

242 パッケージ   TSOP6F   2.9mm×2.8mm; t=0.8mm   東芝の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
小信号デバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

プレスリリース情報提供元：ビジネスワイヤ