東芝デバイス&ストレージ(株):600V耐圧新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨシリーズ」発売について

プレスリリース発表元企業:Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
東芝デバイス&ストレージ(株):600V耐圧新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨシリーズ」発売について

東芝デバイス&ストレージ(株):600V耐圧新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨシリーズ」発売について

(東京)- (ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、600V耐圧の新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨ(パイ・モス・ナイン)シリーズ」の量産を本日から開始します。新シリーズは、チップデザインの最適化により現行のπ-MOSⅦ(パイ・モス・セブン)シリーズと比較して、効率を維持しつつ、EMIノイズピーク値を5dB低減[注1]しており、設計自由度向上、設計省力化に貢献します。また定格電流(DC)と同等のアバランシェ電流定格を確保し、現行世代品からの置き換え検討を容易にしています。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:http://www.businesswire.com/news/home/20180109006891/ja/

東芝デバイス&ストレージ(株): 600V耐圧新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨシリーズ」 (写真:ビジネスワイヤ) 東芝デバイス&ストレージ(株): 600V耐圧新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨシリーズ」 (写真:ビジネスワイヤ)

当社は今後、本シリーズの同耐圧でのラインアップ展開および500V、650V耐圧品のラインアップ展開を行います。

応用機器

ノートPC用ACアダプター、ゲーム機チャージャーなどの中小型スイッチング電源 照明用電源 新製品の主な特長

高効率と低ノイズの両立 定格電流(DC)と同等のアバランシェ電流定格を確保   新製品の主な仕様

品番   パッケージ   絶対最大定格   RDS(ON)
MAX (Ω)
at VGS=10V

  Qg
Typ.
(nC)

  Ciss
Typ.
(pF)

  現行世代
(π-MOSⅦシリーズ)
品名

VDSS (V)   ID (A) TK650A60F TO-220SIS 600 11 0.65 34 1320 TK11A60D TK750A60F TO-220SIS 600 10 0.75 30 1130 TK10A60D TK1K2A60F TO-220SIS 600 6 1.2 20.5 740 TK6A60D(1.25Ω) TK1K9A60F   TO-220SIS   600   3.7   1.9   14   490   TK4A60DB(2.0Ω)   [注1]TK10A60DとTK750A60Fでの比較。(65WノートPCアダプター@200MHz領域)

当社の400V-900V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。





businesswire.comでソースバージョンを見る:http://www.businesswire.com/news/home/20180109006891/ja/

連絡先
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

プレスリリース情報提供元:ビジネスワイヤ

スポンサードリンク

広告

SNSツール

RSS

facebook

zaikeishimbun

いいね!

twitter

@zaikei_main

フォロー

google+

Hatena

広告

ピックアップ 注目ニュース