SKハイニックス、1-3月期は営業利益3.3倍　無錫工場の正常化でDRAM好調

　韓国の半導体大手SKハイニックスが24日発表した2014年第1四半期（1－3月期）決算は、営業利益が全同期比3.3倍の1兆570億ウォン（約1,040億円）だった。NAND型フラッシュメモリは販売価格、出荷数とも減少したが、火災があった中国・無錫工場の稼働正常化でDRAMの販売数が増加したことと、DRAM価格が高水準だったことが大幅増益に貢献した。営業利益が1兆ウォンを超えるのは2013年第3四半期以来、2四半期ぶり。

　売上高は同35%増の3兆7,430億ウォン（約3,670億円）、純利益は同4.5倍の8,020億ウォン（約787億円）だった（K-IFRS基準）。

　DRAMの第1四半期の出荷数は無錫工場の稼働正常化によって前四半期比20%増となった。平均販売価格は安定した在庫確保を望む顧客による需要増で既存レベルを維持した。またNAND型フラッシュメモリは、季節的な需要減によって平均販売価格は14%減、出荷数は前四半期比で8%減となった。

　今後DRAM市場については需要は回復する反面、供給数は伸び悩むと予想される。またパソコンやサーバー用DRAMに対する顧客の在庫確保努力が続く中、モバイルDRAMも新規スマート機器の販売と中国モバイル市場のシーズン進入、LTEネットワーク拡大によって需要は回復する見通しだ。

　NAND型フラッシュメモリ市場はモバイル機器を中心に需要回復が見込まれ、SSD市場の成長などにより昨年と似た水準の需要増が予想される。供給面では小規模工場への転換や3D製品の量産が市場で負担要因となりうるが、需要と供給のバランスは維持される展望だ。

　同社は第2四半期から20ナノメートルプロセス技術を採用したパソコン・サーバ用DRAM製品の量産を本格化し、下半期にはモバイルDRAMまで適用する計画だ。またモバイル機器の需要回復を見込んでモバイルD-AM生産比重を増やす方針。NAND型フラッシュメモリについては10ナノ級製品の割合を増やすことによって生産増と原価改善に尽力し、TLCおよび3D製品を年内に開発完了してサンプル供給を始める計画だ。

　同社は今年から収益性中心の経営強化と質的成長に力を入れ、新たな跳躍のための次世代製品への準備と成長インフラ構築に努める計画であると公表した。（翻訳：中島礼子）